[发明专利]烧结的器件

权利要求书

1.一种用于在基底上制备无机膜的方法，所述方法包括：

(a)通过使所述基底与纳米颗粒分散体接触而在所述基底上沉积纳米颗粒层；

(b)对所沉积的纳米颗粒层进行处理以防止在后续的层沉积步骤中纳米颗粒脱落；

(c)在所述基底上的前述纳米颗粒层上沉积另一纳米颗粒层；

(d)至少再一次重复处理步骤(b)和沉积步骤(c)；以及

(e)任选地，对采用步骤(a)至步骤(d)制备的多层膜进行热退火；

其中所述方法包括其中对一个或更多个所述纳米颗粒层进行热退火的至少一个热退火步骤。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述纳米颗粒是形成活性材料的纳米颗粒。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述形成活性材料的纳米颗粒是用于形成半导体材料的纳米颗粒。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中所述纳米颗粒包括选自第IB、IIB、IIIA、IVA、VA和VIA族元素中的至少一种元素。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中所述纳米颗粒包括选自以下的无机材料：硅、非晶硅、铜、硒化铜、硫化铜、碲化铜、铜铟硫化物、铜铟硒化物、铜铟碲化物、铜铁硫化物、铜铟镓硒化物、铜锌锡硫化物、氧化锌、硫化锌、硒化锌、碲化锌、铟锌氧化物、锌镓氧化物、锌铝氧化物、锌铟硒化物、锌镓硒化物、锌铝硒化物、锌锡氧化物、锌锡硫化物、锌锡硒化物、锌锡碲化物、锌锡镓氧化物、锌锡镓硫化物、锌锡镓硒化物、锌锡镓碲化物、氧化锡、硫化锡、氧化铟、氧化铟锡、磷化铟、硫化铟、硒化铟、氧化铟、砷化铟、硒化镉、碲化镉、硫化镉、镉-碲硒化物、氧化镉、硒化铅、硫化铅、氧化镓、砷化镓、镓铟砷化物、磷化镓、铁硫化物、氧化铝、三氧化钼、二氧化钼、三硫化钼、二硫化钼、三硒化钼、二硒化钼、氧化镍、锗及其混合物、合金或复合物。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中所述纳米颗粒是碲化镉纳米颗粒。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中所述纳米颗粒分散体包括在热退火时形成具有单一组成的活性层的两种或更多种不同的无机材料。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其中所述纳米颗粒为棒状或球形。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中所述纳米颗粒具有至多约100纳米的直径。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法，其中所述纳米颗粒具有至少约1纳米的直径。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，其中以至多约1微米的厚度沉积所述纳米颗粒。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的方法，其中以至少约25纳米的厚度沉积所述纳米颗粒。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的方法，其中所述无机膜的厚度在约90纳米至约3微米之间。

14.根据权利要求1至13中任一项所述的方法，其中所述无机膜的厚度为至少约200纳米。

15.根据权利要求1至14中任一项所述的方法，其中所述纳米颗粒分散在溶剂中。

16.根据权利要求1至15中任一项所述的方法，其中所述沉积是通过旋涂、浸涂、印刷、喷墨印刷、凹版印刷、喷涂、流延或缝口喷注涂覆来进行的溶液处理。

17.根据权利要求1至16中任一项所述的方法，其中所述纳米颗粒分散体包含一种或更多种添加剂。

18.根据权利要求17所述的方法，其中所述添加剂选自：盐、填料、配体、掺杂剂及其混合物。

19.根据权利要求1至18中任一项所述的方法，其中复数个处理步骤(b)中的至少之一包括化学处理。

20.根据权利要求19所述的方法，其中所述化学处理包括使所述纳米颗粒层与包含选自盐、填料、配体、掺杂剂及其混合物中的一种或更多种化学处理剂的溶液接触。

21.根据权利要求19至20中任一项所述的方法，其中所述化学处理包括使所述纳米颗粒层与表面改性剂接触。