[发明专利]用于硅太阳能电池的铜胶金属化有效
申请号: | 201180053663.4 | 申请日: | 2011-08-26 |
公开(公告)号: | CN103229314A | 公开(公告)日: | 2013-07-31 |
发明(设计)人: | J·M·吉 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/042;H01B1/02 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 侯颖媖 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 太阳能电池 金属化 | ||
1.一种用于在太阳能电池上形成触点结构的方法,所述方法包括以下步骤:
将铜金属化胶沉积于基板上,所述基板包括掺杂半导体材料;以及对所述铜金属化胶加热,以形成铜层,其中所述铜金属化胶包括:
有机基质;
玻璃料,所述玻璃料在所述有机基质内;以及
金属粉末,所述金属粉末在所述有机基质内,所述金属粉末包括封胶含铜粒子,其中所述封胶含铜粒子中的至少一些进一步包括:
含铜粒子;以及
至少一个涂层,所述至少一个涂层围绕所述含铜粒子,其中所述涂层选自由以下组成的群组:
镍(Ni);
锌(Zn);
镍(Ni),及钛(Ti)、氮化钛(TiN)、钨(W)、钛钨(TiW)、掺钨钴(Co:W)、钴(Co)、铬(Cr)、钼(Mo)、钽(Ta)、过渡金属氮化物、过渡金属硅化物合金、上述材料的合金或上述材料的组合物中的至少一者;
锌(Zn),及镍(Ni)、钛(Ti)、氮化钛(TiN)、钨(W)、钛钨(TiW)、掺钨钴(Co:W)、钴(Co)、铬(Cr)、钼(Mo)、钽(Ta)、过渡金属氮化物及过渡金属硅化物合金、上述材料的合金或上述材料的组合物中的至少一者;以及
银(Ag),及镍(Ni)、钛(Ti)、氮化钛(TiN)、钨(W)、钛钨(TiW)、掺钨钴(Co:W)、钴(Co)、铬(Cr)、钼(Mo)、钽(Ta)、过渡金属氮化物、过渡金属硅化物合金、上述材料的合金或上述材料的组合物中的至少一者。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法进一步包括以下步骤:
将接触层胶沉积于所述基板的表面上;
将所述铜金属化胶沉积于所述接触层胶上;以及
对所述接触层胶及所述铜金属化胶加热,以将铜层形成于接触层上,其中所述接触层提供与所述基板的欧姆接触。
3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述接触层胶包括铜金属化胶,所述铜金属化胶不同于用以形成所述铜层的铜金属化胶。
4.一种用于在太阳能电池上形成触点结构的方法,所述方法包括以下步骤:
将接触层沉积于基板的表面上,所述基板包括掺杂半导体材料;
将金属化阻障层沉积于所述接触层上;
将铜层沉积于所述金属化阻障层上,所述铜层包括封胶含铜粒子;
将氧化阻障层沉积于所述铜层上;以及
对所述接触层、金属化阻障层、铜层及氧化阻障层加热,以烧结上述各层且形成与所述基板的欧姆接触,其中使用喷墨沉积工艺来执行上述沉积步骤。
5.一种太阳能电池,所述太阳能电池包括:
基板,所述基板包括掺杂半导体材料;以及
前触点结构,所述前触点结构在所述基板的前表面的一部分上,其中所述前触点结构包括:
铜层,所述铜层包括烧结的封胶含铜粒子,其中所述封胶含铜粒子中的至少一些进一步包括:
含铜粒子;以及
至少一个涂层,所述至少一个涂层围绕所述含铜粒子,其中所述涂层选自由以下组成的群组:
镍(Ni);
锌(Zn);
镍(Ni),及钛(Ti)、氮化钛(TiN)、钨(W)、钛钨(TiW)、掺钨钴(Co:W)、钴(Co)、铬(Cr)、钼(Mo)、钽(Ta)、过渡金属氮化物、过渡金属硅化物合金、上述材料的合金或上述材料的组合物中的至少一者;
锌(Zn),及镍(Ni)、钛(Ti)、氮化钛(TiN)、钨(W)、钛钨(TiW)、掺钨钴(Co:W)、钴(Co)、铬(Cr)、钼(Mo)、钽(Ta)、过渡金属氮化物及过渡金属硅化物合金、上述材料的合金或上述材料的组合物中的至少一者;以及
银(Ag),及镍(Ni)、钛(Ti)、氮化钛(TiN)、钨(W)、钛钨(TiW)、掺钨钴(Co:W)、钴(Co)、铬(Cr)、钼(Mo)、钽(Ta)、过渡金属氮化物、过渡金属硅化物合金、上述材料的合金或上述材料的组合物中的至少一者。
6.如权利要求5所述的太阳能电池,其特征在于,所述至少一个涂层进一步包括:
第一阻障层;以及
第二阻障层,其中所述第一阻障层为最外层,且所述第二阻障层位于所述第一阻障层与所述含铜粒子之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的