[发明专利]绝缘基板用包覆材料

权利要求书

1.一种绝缘基板用包覆材料，其特征在于，

表面被接合半导体元件的由Ni或Ni合金形成的Ni层与在所述Ni层的一侧配置的由Ti或Ti合金形成的Ti层通过包覆轧制而接合，并且，

在所述Ni层与所述Ti层之间介有Ni-Ti系超弹性合金层，所述Ni-Ti系超弹性合金层是所述Ni层的构成元素的至少Ni与所述Ti层的构成元素的至少Ti合金化而生成的，

所述Ti层与在所述Ti层的与所述Ni层配置侧相反的一侧配置的由Al或Al合金形成的第一Al层相互相邻并通过包覆轧制而接合。

2.根据权利要求1所述的绝缘基板用包覆材料，

在所述Ni层与所述Ti层通过温或热包覆轧制而接合之后，所述Ti层与所述第一Al层通过冷或温包覆轧制而接合。

3.根据权利要求1或2所述的绝缘基板用包覆材料，所述第一Al层与在所述第一Al层的与所述Ti层配置侧相反的一侧配置的钎料层通过包覆轧制而接合。

4.根据权利要求1～3的任一项所述的绝缘基板用包覆材料，所述第一Al层由纯度为99.99质量%以上的Al形成。

5.一种绝缘基板，其特征在于，具备：陶瓷层、在所述陶瓷层的一侧配置的第1金属层、和在所述陶瓷层的与所述第1金属层配置侧相反的一侧配置的第2金属层，

所述第1金属层与所述陶瓷层接合，并且，

所述陶瓷层与所述第2金属层接合，

所述第1金属层包含权利要求1～3的任一项所述的包覆材料。

6.根据权利要求5所述的绝缘基板，

所述包覆材料的所述第一Al层由纯度为99.99质量%以上的Al形成，

所述第一Al层与所述陶瓷层相互相邻并通过钎焊而接合。

7.根据权利要求5所述的绝缘基板，

所述第1金属层还包含由Al或Al合金形成的第二Al层，

所述包覆材料的所述第一Al层与所述第二Al层相互相邻并通过钎焊而接合，并且，

所述第二Al层与所述陶瓷层相互相邻并通过钎焊而接合。

8.根据权利要求7所述的绝缘基板，

所述第一Al层由纯度低于99.99质量%的Al或Al合金形成，

所述第二Al层由纯度为99.99质量%以上的Al形成。

9.根据权利要求8所述的绝缘基板，所述第二Al层的厚度比所述第一Al层厚。

10.根据权利要求5～9的任一项所述的绝缘基板，

所述第2金属层包含由Al或Al合金形成的第三Al层，

所述陶瓷层与所述第三Al层通过钎焊而接合。

11.一种绝缘基板用包覆材料的制造方法，其特征在于，包括：

第1接合工序，通过包覆轧制将表面被接合半导体元件的由Ni或Ni合金形成的Ni层与在所述Ni层的一侧配置的由Ti或Ti合金形成的Ti层接合，由此，在所述Ni层与所述Ti层之间形成所述Ni层的构成元素的至少Ni与所述Ti层的构成元素的至少Ti合金化而生成的Ni-Ti系超弹性合金层；和

第2接合工序，使所述Ti层与在所述Ti层的与所述Ni层配置侧相反的一侧配置的由Al或Al合金形成的第一Al层相互相邻并通过包覆轧制而接合。

12.根据权利要求11所述的绝缘基板用包覆材料的制造方法，

在所述第1接合工序中，通过温或热包覆轧制将所述Ni层与所述Ti层接合，

在所述第2接合工序中，在所述第1接合工序之后，通过冷或温包覆轧制将所述Ti层与所述第一Al层接合。

13.根据权利要求11或12所述的绝缘基板用包覆材料的制造方法，

还具备下述第3接合工序：通过包覆轧制将所述第一Al层与在所述第一Al层的与所述Ti层配置侧相反的一侧配置的钎料层接合。

14.根据权利要求11～13的任一项所述的绝缘基板用包覆材料的制造方法，所述第一Al层由纯度为99.99质量%以上的Al形成。