[发明专利]氮化铝单晶的制造装置和制造方法

权利要求书

1.一种氮化铝单晶的制造装置，是通过加热氮化铝原料而使其升华，使氮化铝在晶种上再结晶，从而制造氮化铝单晶的氮化铝单晶的制造装置，具备：

生长容器，收纳所述氮化铝原料，由对所述氮化铝原料升华时产生的铝气具有耐腐蚀性的材料构成，

发热体，设置于所述生长容器的外侧，介由所述生长容器加热所述氮化铝原料，

并且，所述生长容器具备具有收纳所述氮化铝的收纳部的主体部，和将所述主体部的所述收纳部密闭的盖体，

所述发热体由含有钨的金属材料构成。

2.根据权利要求1所述的氮化铝单晶的制造装置，其中，构成所述生长容器的材料是离子半径为铝的离子半径的1.37倍～1.85倍的金属的碳化物或氮化物。

3.根据权利要求1或2所述的氮化铝单晶的制造装置，其中，构成所述生长容器的材料是选自碳化钽、氮化锆、氮化钨以及氮化钽中的至少1种。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的氮化铝单晶的制造装置，其中，构成所述发热体的金属材料是钨单质。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的氮化铝单晶的制造装置，其中，所述发热体与所述生长容器接触。

6.根据权利要求1～4中任一项所述的氮化铝单晶的制造装置，其中，所述发热体与所述生长容器分开。

7.一种氮化铝单晶的制造方法，其使用权利要求1～6中任一项所述的氮化铝单晶的制造装置来制造氮化铝单晶，具备：

第1工序，将所述氮化铝原料收纳于所述生长容器的所述主体部中的所述收纳部，将晶种固定于所述盖体，用所述盖体将所述收纳部密闭，

第2工序，通过使所述发热体发热，介由所述生长容器加热所述氮化铝原料而使其升华，使氮化铝在固定于所述盖体的所述晶种上再结晶，从而制造所述氮化铝单晶。