[发明专利]n型SiC单晶的制造方法

权利要求书

1.一种n型SiC单晶的制造方法，其包括：

准备具备腔室的制造装置的工序，所述腔室具有配置坩埚的区域；

将所述配置坩埚的区域加热，并且将所述腔室真空排气的工序；

在所述真空排气后，将含有稀有气体和氮气的混合气体填充到所述腔室内的工序；

利用加热使配置于所述区域的坩埚中容纳的原料熔融，生成含有硅和碳的SiC熔液的工序；以及

在所述混合气体气氛下，将SiC晶种浸渍于所述SiC熔液，在所述SiC晶种上培养n型SiC单晶的工序。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，在所述真空排气的工序中，将所述区域加热至1100℃以上，并且使所述腔室的真空度为1.0×10^-1Pa以下。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的制造方法，其中，在所述真空排气的工序中，将所述区域加热至所述n型SiC单晶的晶体生长温度以上。

4.根据权利要求2或权利要求3所述的制造方法，其中，在所述真空排气的工序中，使所述腔室的真空度为5.0×10^-2Pa以下。

5.根据权利要求1～权利要求4中的任一项所述的制造方法，其中，所述制造方法还包括:

将所述腔室真空排气时，将所述坩埚配置于离开所述腔室内的所述区域的位置的工序；以及

在真空排气后，将所述坩埚配置于所述区域的工序。

6.根据权利要求5所述的制造方法，其中，所述坩埚具备具有贯通孔的盖构件，

所述制造装置还具备：

在底端安装所述SiC晶种、能够在所述腔室内升降、所述底端穿过所述贯通孔而配置于所述坩埚内的籽晶轴；以及

配置于离开所述籽晶轴的底端的轴部分、与所述盖构件的下表面接触时悬架所述坩埚的钩构件，

在将所述坩埚配置于离开所述区域的位置的工序中，将悬架于所述钩构件的所述坩埚配置于所述区域的上方，

在将所述坩埚配置于所述区域的工序中，将所述籽晶轴降下，将所述坩埚配置于所述区域。

7.根据权利要求1～权利要求6中的任一项所述的制造方法，其中，在将所述腔室真空排气的工序中，将吸附氮气的吸气剂容纳于所述腔室内。

8.一种制造装置，其为能够容纳坩埚的SiC单晶的制造装置，其具备：

腔室；

将所述腔室真空排气的排气装置；

底端能够安装SiC晶种、能够在所述腔室内升降的籽晶轴；和

配置于离开所述籽晶轴的底端的轴部分、用于悬架所述坩埚的钩构件。

9.根据权利要求8所述的制造装置，其中，所述坩埚具备盖构件，所述盖构件具有用于将所述籽晶轴插入的孔，

所述钩构件配置于所述坩埚内，通过与所述盖构件的下表面接触而悬架所述坩埚。