[发明专利]单晶硅晶片的热氧化膜形成方法

权利要求书

1.一种单晶硅晶片的热氧化膜形成方法，其是在单晶硅晶片上形成热氧化膜的方法，其特征在于，

至少将前述单晶硅晶片投入至热处理炉内，升温至形成热氧化膜的温度T1，以便形成厚度d1的热氧化膜，然后，在降温至低于前述温度T1的温度后，升温至高于前述温度T1的温度T2，以便追加形成厚度大于前述厚度d1的厚度d2的热氧化膜。

2.如权利要求1所述的单晶硅晶片的热氧化膜形成方法，其中，在降温至低于前述温度T1的温度后，没有将前述单晶硅晶片从前述热处理炉中取出，而是升温至高于前述温度T1的温度T2，以便追加形成厚度大于前述厚度d1的厚度d2的热氧化膜。

3.如权利要求1或2所述的单晶硅晶片的热氧化膜形成方法，其中，使前述温度T1为低于1200℃的温度，且使前述温度T2为1200℃以上的温度。

4.如权利要求1至3中的任一项所述的单晶硅晶片的热氧化膜形成方法，其中，当降温至低于前述温度T1的温度时，降温至比前述温度T1低200℃以上的温度。

5.如权利要求1至4中的任一项所述的单晶硅晶片的热氧化膜形成方法，其中，当降温至低于前述温度T1的温度时，降温至将前述单晶硅晶片投入至热处理炉时的投入温度以下的温度。

6.如权利要求1至5中的任一项所述的单晶硅晶片的热氧化膜形成方法，其中，使前述厚度d1与前述厚度d2的总膜厚为2500nm以上。

7.如权利要求1至6中的任一项所述的单晶硅晶片的热氧化膜形成方法，其中，使前述厚度d1为500nm以上。

8.如权利要求1至7中的任一项所述的单晶硅晶片的热氧化膜形成方法，其中，在追加形成前述厚度d2的热氧化膜后，进一步反复1次以上进行以下操作：降温至低于前述温度T1的温度，然后，升温至高于前述温度T1的温度，以便追加形成热氧化膜。