[发明专利]用于连接腔室部件的附着材料

说明书

技术领域

本发明的实施例大体上关于半导体处理腔室，更具体地关于适合用于连接半导体处理腔室部件的附着材料。

相关技术描述

半导体处理涉及许多不同的化学及物理工艺，藉以使极微小的集成电路建立在衬底上。构成集成电路的材料层藉由化学气相沉积、物理气相沉积、外延生长、与类似工艺而建立。一些所述材料层通过使用光刻胶掩模及湿式或干式蚀刻技术加以图案化。用于形成集成电路的衬底可以是硅、砷化镓、磷化铟、玻璃、或任何其他适合的材料。

一般的半导体处理腔室可具有许多部件。一些部件包括界定工艺区块的腔室主体、适以从气体供应器供应工艺气体进入工艺区块的气体分配组件、用于在工艺区块内赋予工艺气体能量的气体赋能器（例如等离子体生成器）、衬底支撑组件、以及气体排放器。一些部件可由多个零件的组件所构成。例如，喷头组件可包括导电基底板，所述导电基底板以附着式接合到陶瓷气体分配板。有效的零件接合需要适合的附着剂以及独特的接合技术，以确保所述零件彼此固定地附接，且同时补偿热膨胀上的任何不匹配且不至于不利地产生任何界面缺陷。

因此，需要一种稳固的附着材料用以组装半导体处理腔室中的零件和/或部件。

发明内容

本发明的实施例提供一种稳固的接合材料，所述接合材料适合用于连接半导体处理腔室部件。在一个实施例中，适合用于连接半导体腔室部件的附着材料包括具有低于300psi的杨氏模量的附着材料。

在另一实施例中，一种半导体腔室部件包括第一表面与附着材料，所述第一表面配置成邻接第二表面，而所述附着材料耦接第一表面与第二表面，其中所述附着材料具有低于300psi的杨氏模量。

在又一实施例中，一种用于接合多个半导体处理腔室部件的方法包括以下步骤：施加附着材料于第一部件的表面上，其中所述附着材料具有低于300psi的杨氏模量；通过与所述附着材料接触而将第二部件耦接至所述第一部件的表面；以及热处理耦接第一部件与第二部件的附着层。

附图说明

藉由参考实施例（一些实施例于附图中说明），可获得在发明内容中简要总结的本发明的更特定的描述，而能够详细地了解在具体实施方式中记载的本发明的特征。

图1描绘使用根据本发明的接合材料的处理腔室的一个实施例的剖面视图；

图2描绘一个实施例的剖面视图，其中多个衬底是由根据本发明的附着材料所接合；以及

图3描绘一个实施例的分解剖面视图，其中多个衬底是由根据本发明的附着材料的穿孔片料所接合。

然而应注意附图仅说明此发明的典型实施例，而不应将所述附图视为限制本发明的范畴，因为本发明可容许其他等效实施例。

为了便于理解，如可能则使用相同元件符号标注各图共有的相同元件。可构想，一个实施例的元件可有利地用于其他实施例，而无须进一步记载。

具体实施方式

本发明的实施例提供一种用于接合半导体处理腔室中所用的零件的稳固附着材料、以本发明的附着材料接合的处理腔室部件、以及用于制造所述附着材料的方法。在一个实施例中，所述稳固的接合材料是基于硅酮的材料，所述基于硅酮的材料具有某些期望的附着材料特性，以便提供良好的接合界面而用于接合气体分配组件或半导体处理腔室的其他不同组件中的零件。所述附着材料具有期望的热膨胀系数、热应力、伸长率、及热导率的范围，以便提供多个接合部件之间的稳固接合，所述接合部件是用在严峻的等离子体蚀刻环境与类似环境中。

图1是根据本发明的半导体处理腔室100的一个实施例的剖面视图，所述腔室100具有至少一个利用接合材料的部件。适合的处理腔室100的一个范例是ENABLER^TM Etch System，所述腔室可购自美国加州圣克拉拉市的应用材料公司。可构想，其他处理腔室可适于受益于在此揭示的一个或多个本发明技术。