[发明专利]布线构造有效
| 申请号： | 201180054334.1 | 申请日： | 2011-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN103222061B | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 前田刚彰;钉宫敏洋 | 申请（专利权）人： | 株式会社神户制钢所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G02F1/1343;G02F1/1368;G09F9/30;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 海坤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 布线 构造 | ||
【权利要求书】：
1.一种布线构造，其依次具有基板、薄膜晶体管的半导体层和金属布线膜，并且在所述半导体层与所述金属布线膜之间具有阻挡层，其特征在于，
所述半导体层由氧化物半导体构成，
所述阻挡层具有高熔点金属系薄膜和Si薄膜的层叠构造，所述Si薄膜与所述半导体层直接连接。
2.根据权利要求1所述的布线构造，其中，
所述高熔点金属系薄膜由纯Ti薄膜、Ti合金薄膜、纯Mo薄膜或者Mo合金薄膜构成。
3.根据权利要求1所述的布线构造，其中，
所述Si薄膜的膜厚是3～30nm。
4.根据权利要求1所述的布线构造，其中，
所述金属布线膜由纯Al膜、包含90原子％以上的Al的Al合金膜、纯Cu膜或者包含90原子％以上的Cu的Cu合金膜构成。
5.根据权利要求1所述的布线构造，其中，
所述氧化物半导体由包含从由In、Ga、Zn以及Sn构成的群中选择的至少一种元素的氧化物构成。
6.一种显示装置，其具备权利要求1～5中的任一项所述的布线构造。
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