[发明专利]制备含氧化铟的层的方法有效

专利信息
申请号: 201180054427.4 申请日: 2011-10-26
公开(公告)号: CN103201409A 公开(公告)日: 2013-07-10
发明(设计)人: J.施泰格;D.V.范;H.蒂姆;A.默库洛夫;A.霍佩 申请(专利权)人: 赢创德固赛有限公司
主分类号: C23C18/12 分类号: C23C18/12
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 石克虎;林森
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 制备 氧化 方法
【权利要求书】:

1.制备包含氧化铟的层的液相方法,在其中将能够从含有至少一种氧化铟前体和至少一种溶剂和/或分散介质的混合物制备的涂料组合物以点a)-d)的次序

a) 施涂到基材上,

b) 将该施涂到基材上的组合物用电磁辐射进行照射,

c) 任选地干燥,和

d) 热转化成包含氧化铟的层,

其特征在于

- 所述氧化铟前体是通式InX(OR)2的铟卤素醇盐,其中R是烷基和/或烷氧基烷基,X是F、Cl、Br或I,

- 使用具有显著含量的在170-210nm和250-258nm范围的辐射的电磁辐射实施照射。

2.根据权利要求1的方法,其特征在于使用具有显著含量的在183-187nm和250-258nm范围的辐射的电磁辐射实施照射。

3.根据权利要求1或2的方法,其特征在于使用低压水银蒸汽灯进行辐射。

4.根据权利要求1-3任一项的方法,其特征在于所述至少一种铟卤素醇盐的烷基和/或烷氧基烷基是C1-C15烷氧基或烷氧基烷基。

5.根据前述权利要求任一项的方法,其特征在于所述铟卤素醇盐是InCl(OMe)2、InCl(OCH2CH2OCH3)、InCl(OEt)2、InCl(OiPr)2或者InCl(OtBu)2

6.根据前述权利要求任一项的方法,其特征在于所述铟卤素醇盐InX(OR)2的使用比例是0.1-10重量%,基于该组合物的总质量计。

7.根据前述权利要求任一项的方法,其特征在于组合物不仅包含铟卤素醇盐而且包含溶解或分散形式的其它前体,优选地其它元素的醇盐或卤素醇盐,更优选B、Al、Ga、Ge、Sn、Pb、P、Hf、Zn和Sb的醇盐或卤素醇盐。

8.根据前述权利要求任一项的方法,其特征在于所述至少一种溶剂或分散介质是甲醇、乙醇、异丙醇、四氢糠醇、叔丁醇、乙酸丁酯、甲氧基乙醇、1-甲氧基-2-丙醇或甲苯。

9.根据前述权利要求任一项的方法,其特征在于所述至少一种溶剂或者分散介质存在的比例是90-99.9重量%,基于该组合物的总质量计。

10.根据前述权利要求任一项的方法,其特征在于步骤(b)中的辐射是在氧气(O2)存在下进行的。

11.根据权利要求10制备结构化的含氧化铟的层的方法,其特征在于步骤b)中的辐射通过预先确定相应结构的掩模进行。

12.根据权利要求11的方法,其特征在于在热处理之后,在步骤e)中通过使用含水酸除去未辐射的区域。

13.根据前述权利要求任一项的方法,其特征在于通过低于500℃和高于120℃的温度进行热转化。

14.能够通过权利要求1-13中任一项的方法制备的含氧化铟的层。

15.根据权利要求14的至少一种含氧化铟的层的用途,用于制备用于电子元件的导电或半导电层,尤其是制备用于晶体管、二极管、传感器或者太阳能电池的导电或半导电层。

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