[发明专利]减少电镀的稳定剂含量的结构

权利要求书

1.一种超导制品，包括：

具有标称厚度t_n1的第一堆叠的超导段，所述第一堆叠的超导段包括第一和第二超导段；

具有标称厚度t_n2的第二堆叠的超导段，所述第二堆叠的超导段包括第三和第四超导段；和

接合区，包括将所述第一和第三超导段连接在一起的第一接头和将所述第二和第四超导段连接在一起的第二接头，所述第一接头沿所述接合区的至少一部分与所述第一和第三超导段的部分相邻并桥接所述第一和第三超导段的部分，所述第二接头沿所述接合区的至少一部分与所述第二和第四超导段的部分相邻并桥接所述第二和第四超导段的部分，所述接合区具有厚度t_jr，其中t_jr不大于1.8t_n1和1.8t_n2中的至少一个。

2.如权利要求1所述的制品，其特征在于，所述第一接头包括超导层。

3.如权利要求2所述的制品，其特征在于，所述第一接头还包括覆盖所述超导层的稳定剂层。

4.如权利要求2所述的制品，其特征在于，所述第一接头还包括覆盖所述超导层的衬底。

5.如权利要求1所述的制品，其特征在于，所述第二接头包括超导层。

6.如权利要求5所述的制品，其特征在于，所述第二接头还包括覆盖所述超导层的稳定剂层。

7.如权利要求5所述的制品，其特征在于，所述第二接头还包括覆盖所述超导层的衬底。

8.如权利要求1所述的制品，其特征在于，所述t_n1基本等于t_n2。

9.如权利要求1所述的制品，其特征在于，所述t_jr不大于1.6t_n1和1.6t_n2的至少一个。

10.如权利要求9所述的制品，其特征在于，所述t_jr不大于1.5t_n1和1.5t_n2的至少一个。

11.如权利要求10所述的制品，其特征在于，所述t_jr不大于1.3t_n1和1.3t_n2的至少一个。

12.如权利要求1所述的制品，其特征在于，t_jr基本等于t_n1和t_n2中的至少一个。

13.如权利要求1所述的制品，其特征在于，所述第一超导段包括第一衬底、覆盖所述第一衬底的第一超导层、和覆盖所述第一超导层的第一稳定剂层，所述第二超导段包括第二衬底、覆盖所述第二衬底的第二超导层、和覆盖所述第二超导层的第二稳定剂层，所述第三超导段包括第三衬底、覆盖所述第三衬底的第三超导层、和覆盖所述第三超导层的第三稳定剂层，且所述第四超导段包括第四衬底、覆盖所述第四衬底的第四超导层、和覆盖所述第四超导层的第四稳定剂层。

14.如权利要求13所述的制品，其特征在于，所述第一、第二、第三、和第四超导段分别包括第一、第二、第三、和第四缓冲层，所述第一缓冲层被设置在所述第一衬底和所述第一超导层之间，所述第二缓冲层被设置在所述第二衬底和所述第二超导层之间，所述第三缓冲层被设置在所述第三衬底和所述第三超导层之间，且所述第四缓冲层被设置在所述第四衬底和所述第四超导层之间。

15.如权利要求13所述的制品，其特征在于，所述第一和第二超导段被设置为使得所述第一和第二超导层面向所述第一堆叠的超导段内，且所述第一和第二衬底面向所述第一堆叠的超导段外，且所述第三和第四超导段被设置为使得所述第一和第二超导层面向所述第二堆叠的超导段内，且所述第三和第四衬底面向所述第二堆叠的超导段外。

16.如权利要求13所述的制品，其特征在于，所述第一和第二超导段被设置为使得所述第一和第二超导层面向所述第一堆叠的超导段外，且所述第一和第二衬底面向所述第一堆叠的超导段内，且所述第三和第四超导段被设置为使得所述第一和第二超导层面向所述第二堆叠的超导段外，且所述第三和第四衬底面向所述第二堆叠的超导段内。