[发明专利]用于光电应用的沉积方法和装置

权利要求书

1.一种在衬底上制造薄膜太阳能电池的方法，其包括：

(a)提供涂布有电接触层的衬底；

(b)在所述衬底的所述接触层上沉积第一油墨的初始层，其中所述第一油墨包含在量上富含第11族原子的第一聚合前体化合物；

(c)加热所述初始层；

(d)在所述初始层上沉积第二油墨的主要层，其中所述第二油墨包含在量上缺乏第11族原子的第二聚合前体化合物；及

(e)加热所述初始层和所述主要层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二聚合前体化合物为CIS或CIGS前体。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二聚合前体化合物为含有银原子的CAIGS前体或含有铝原子的CAIGAS前体。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述初始层由一层或多层第一油墨的单独层制成。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述主要层由一层或多层第二油墨的单独层制成。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述油墨包含溶解于有机溶剂的聚合前体化合物。

7.根据权利要求1所述的方法，其中每一加热工序为包括将所述层在100℃至400℃的温度下转化，并且将所述层在450℃至650℃的温度下退火的工序。

8.根据权利要求1所述的方法，其中每一加热工序为包括将所述层在170℃至350℃的温度下转化，并且将所述层在450℃至575℃的温度下退火的工序。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一油墨或所述第二油墨包含0.01至2.0原子百分比的钠离子。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一油墨或所述第二油墨包含M^alkM^B(ER)₄或M^alk(ER)，其中M^alk为Li、Na或K，M^B为In、Ga或Al，E为硫或硒，且R为烷基或芳基。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一油墨或所述第二油墨包含NaIn(SeⁿBu)₄、NaIn(Se^sBu)₄、NaIn(SeⁱBu)₄、NaIn(SeⁿPr)₄、NaIn(Se正己基)₄、NaGa(SeⁿBu)₄、NaGa(Se^sBu)₄、NaGa(SeⁱBu)₄、NaGa(SeⁿPr)₄、NaGa(Se正己基)₄、Na(SeⁿBu)、Na(Se^sBu)、Na(SeⁱBu)、Na(SeⁿPr)、Na(Se正己基)、Na(SeⁿBu)、Na(Se^sBu)、Na(SeⁱBu)、Na(SeⁿPr)或Na(Se正己基)。

12.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在步骤(e)之后，沉积包含In(S^sBu)₃的油墨。

13.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括将所述主要层暴露于硫属元素蒸气中。

14.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在衬底上沉积所述第二油墨之前，施加热、光或辐射，或者加入一种或多种化学试剂或交联剂于所述第二油墨中。

15.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在衬底上沉积所述第一油墨之前，施加热、光或辐射，或者加入一种或多种化学试剂或交联剂于所述第一油墨中。

16.根据权利要求1所述的方法，其中所述初始层和所述主要层加热后的合并厚度为1至3微米。