[发明专利]用于制造电子器件的方法和电子器件

说明书

技术领域

不同实施例涉及用于制造电子器件的方法和电子器件。

背景技术

在广泛的应用中，例如为光电子器件的电子器件的尤其作为覆盖接触部的薄的电接触部的前提在于良好的通电或导电性和必要时足够的透明度。

发明内容

在不同实施例中提供一种电子器件，所述电子器件具有带有与现有技术相比减小的厚度和必要时改进的透明度和导电性的电极。

在不同实施例中，用于制造电子器件的方法具有：借助于原子层沉积法将电极生长层施加在层结构上或施加在层结构上方，并且将电极施加在电极生长层上。

在不同实施例中，电子器件具有衬底、衬底上的电极生长层、以及电极生长层上的电极。电极生长层构成为原子层沉积层。

例如能够将原子层沉积法理解成单独地施加单层原子的任意方法。原子层沉积法在不同实施例中能够理解成气相的沉积法，其中例如使原材料周期性地依次进入到反应腔中。在不同实施例中，原子层沉积法的局部反应是自限性的，也就是说，局部反应的原材料不与自身或自身的配合基反应，这在任意长的时间和气体量的情况下将局部反应的层生长限制于最大为单层的原子。

只要是有意义的，所述实施例的不同的设计方案就以相同的方式适用于用于制造电子器件的方法和电子器件。

通过将原子层沉积法用于施加生长层，在不同实施例中能够实现，生长层能够沉积成是尤其薄的并且具有高的层厚度可复现性。使用原子层沉积法的另一优点能够在于，中间层也能够由多个极其薄的、直接彼此叠加沉积的层形成（那么也称作“纳米叠层”，NL）。由此，生长层（中间层）的组分和形态可以目的明确地匹配于透明的金属覆盖电极。此外，通常避免在原子层沉积中对有机物造成损坏的影响，如同能够在溅射沉积中出现的（等离子、辐射、快离子）。这尤其在例如为有机光伏电池的有机光伏器件中或者在例如为有机发光二极管（OLED）的有机光电子器件中能够是有利的。此外，原子层沉积的特征在于特别均匀且一致的表面覆层。由此，也称作电极生长层的中间层尤其能够实施成使得对金属覆盖电极和其之下的有机层之间的材料交换进行抑制。这种扩散势垒阻止由于在覆盖电极-有机物分界面处的扩散所引起的有机组件的退化。在使用原子层沉积法时，另一优点在于相对低的过程温度，这对被处理的层在其温度负荷方面进行保护。

电极能够是阳极或阴极。电极能够具有注入空穴的或注入电子的功能。

在所述方法的一个设计方案中，能够施加具有0.1nm至200nm范围中的层厚度的、例如具有0.1nm至10nm范围中的层厚度的、例如具有1nm至8nm范围中的层厚度的、例如具有3nm至3.5nm范围中的层厚度的、例如具有大于或等于1.5nm层厚度的电极生长层。电子生长层的层厚度在不同实施例中例如能够小于或等于7nm。

此外，能够借助于原子层沉积法来相互叠加地施加形成电极生长层的多个子层。直观地，子层共同地地形成纳米叠层。