[发明专利]用于a-Si单结和多结薄膜硅太阳能电池的改进的a-Si:H吸收层

权利要求书

1.用于制造薄膜太阳能电池的方法，包括以下顺序的步骤：

a)沉积正掺杂的硅层(3)，

b1)以第一沉积速率沉积第一本征a-Si:H层(21)，

b2)以第二沉积速率沉积第二本征a-Si:H层(22)，

以及c)沉积负掺杂的硅层(5)，其中，

所述第二沉积速率大于所述第一沉积速率。

2.根据前述权利要求所述的方法，其中，所述第一沉积速率为所述第二沉积速率的40%以上、75%以下，优选地为所述第二沉积速率的40%以上、60%以下，更优选地，所述第一沉积速率为2.1/秒，所述第二沉积速率为3.6/秒。

3.根据前述权利要求的任一项所述的方法，其中，所述沉积层(3、21、22、5)的沉积是通过使用射频功率的CVD工艺进行的，其中，步骤b1)中的工艺使用的射频功率水平为步骤b2)中的工艺的射频功率水平的30%以上、75%以下，优选地为步骤b2)中的工艺的射频功率水平的30%以上、50%以下。

4.根据前述权利要求的任一项所述的方法，其中，所述沉积层(3、21、22、5)的沉积是通过使用氢气和硅烷作为前体气体的CVD工艺进行的，其中，步骤b1)中的氢气与硅烷的流量比为步骤b2)中的氢气与硅烷的流量比的1倍以上、1.5倍以下。

5.根据前述权利要求的任一项所述的方法，其中，所述沉积层(3、21、22、5)的沉积是通过具有工艺压力的CVD工艺进行的，其中，步骤b1)中的工艺压力为步骤b2)中的工艺压力的30%以上、90%以下。

6.根据前述权利要求的任一项所述的方法，其中，非微晶叠层沉积所述第一本征a-Si:H层(21)和所述第二本征a-Si:H层(22)，使得所述第一本征a-Si:H层(21)的厚度为所述第一本征a-Si:H层(21)和所述第二本征a-Si:H层(22)的总体本征a-Si:H层(21、22)厚度的15%以上、45%以下，优选地为所述第一本征a-Si:H层(21)和所述第二本征a-Si:H层(22)的总体本征a-Si:H层(21、22)厚度的15%以上、35%以下。

7.根据前述权利要求的任一项所述的方法，其中，所述正掺杂的硅层(3)和/或所述负掺杂的硅层(5)包括a-Si:H层或μc-Si:H层。

8.根据前述权利要求的任一项所述的方法，包括以下顺序的步骤：

提供衬底(1)，

在所述衬底(1)上沉积第一TCO层(2)，

在所述第一TCO层(2)上沉积根据前述权利要求的任一项所述的沉积层(3、21、22、5)，以及

在根据前述权利要求的任一项所述的沉积层(3、21、22、5)上沉积第二TCO层(6)。

9.用于制造多结薄膜太阳能电池的方法，包括以下顺序的步骤：

提供衬底(1、12)，

在所述衬底(1、12)上沉积第一TCO层(2、22)，

在所述第一TCO层(2、22)上沉积根据前述权利要求1至7的任一项所述的沉积层(3、21、22、5)，形成顶层太阳能电池(9)，

在所述顶层太阳能电池(9)上沉积至少另一层太阳能电池(10)，其依次包括正掺杂的硅层(16)、本征a-Si:H层或本征μc-Si:H层(17)和负掺杂的硅层(18)，以及

在所述另一层太阳能电池(10)的最后面一层上沉积第二TCO层(6、19)。

10.薄膜太阳能电池，包括:

正掺杂的硅层(3)、

在所述正掺杂的硅层(3)上沉积的第一本征a-Si:H层(21)、在所述第一本征a-Si:H层(21)上沉积的第二本征a-Si:H层(22)，和

在所述第二本征a-Si:H层(22)上沉积的负掺杂的硅层(5)，其中，

所述第一本征a-Si:H层(21)的厚度为所述第一本征a-Si:H层(21)和所述第二本征a-Si:H层(22)的总体本征a-Si:H层(21、22)的厚度的15%以上、45%以下，优选地为所述第一本征a-Si:H层(21)和所述第二本征a-Si:H层(22)的总体本征a-Si:H层(21、22)的厚度的15%以上、35%以下。