[发明专利]背面电极型太阳能电池无效
申请号: | 201180055537.2 | 申请日: | 2011-10-27 |
公开(公告)号: | CN103222064A | 公开(公告)日: | 2013-07-24 |
发明(设计)人: | 小平真继 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 岳雪兰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 背面 电极 太阳能电池 | ||
技术领域
本发明涉及在与受光面相反一侧的面即背面形成有电极的背面电极型太阳能电池,尤其是涉及一种背面电极型太阳能电池的背面侧的结构。
背景技术
直接将太阳能转换成电能的太阳能电池,近年来,尤其从地球环境问题的观点出发,作为下一代能源的期待正急剧高涨。作为太阳能电池,具有使用化合物半导体或者有机材料的太阳能电池等众多种类,但当前成为主流的是使用硅晶体的。
当前,制造及销售最多的太阳能电池具有如下结构,即,在太阳光入射一侧的面即受光面和受光面的相反侧即背面形成有电极。
但是,在受光面上形成有电极的情况下,由于存在电极中的光的反射、吸收,所以入射的太阳光与所形成的电极的面积相应地减少,因此开发了仅在背面形成有电极的背面电极型太阳能电池。
图8是专利文献1公开的现有背面电极型太阳能电池的示意剖视图。以下,对现有背面电极型太阳能电池101进行说明。
在n型硅晶片104的受光面侧形成有凹凸形状105,并形成有n型前面侧扩散区域106即FSF(Front Surface Field:前面场)层。并且,在凹凸形状105中,从n型硅晶片104侧起按如下顺序形成有包含二氧化硅的介电性钝化层108及包含氮化硅的防反射涂层107。
另外,在n型硅晶片104的背面形成有氧化物层109。而且,在n型硅晶片104的背面侧交替地形成有掺杂了n型杂质的n+区域110和掺杂了p型杂质的p+区域111。并且,在n+区域110中形成有n型用金属触点102,在p+区域111中形成有p型用金属触点103。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特表2008-532311号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
在多个背面电极型太阳能电池串联或者并联地连接的背面电极型太阳能电池组件中,在工作过程中在背面电极型太阳能电池组件的一部分上产生太阳光照射不到的影子的情况下,产生了影子的背面电极型太阳能电池根据与其他背面电极型太阳能电池的关系而被施加反向偏置电压。
此时,如专利文献1记载的背面电极型太阳能电池那样,在背面电极型太阳能电池的背面侧的外周缘上具有与n型硅晶片不同的导电型的p+区域,且在该区域中连接有p型用金属触点的情况下,施加反向偏置电压时,容易产生通过外周缘流入p型用金属触点的漏电电流。
本发明是鉴于上述问题而做出的,其目的在于提供一种背面电极型太阳能电池,能够在施加反向偏置电压时,抑制产生通过背面电极型太阳能电池的背面的外周缘流入电极的漏电电流。
用于解决技术问题的方法
本发明的背面电极型太阳能电池,具有:第一导电型或者第二导电型的硅衬底;第一导电型半导体区域及第二导电型半导体区域,其设置在与硅衬底的受光面相反一侧的面即背面;第一导电型用电极,其设置于第一导电型半导体区域;第二导电型用电极,其设置于第二导电型半导体区域;外周缘半导体区域,其在硅衬底的背面设置在第一导电型半导体区域及第二导电型半导体区域的形成区域周围;外周缘半导体区域不与第一导电型用电极及第二导电型用电极接触。
在此,在本发明的背面电极型太阳能电池中,优选的是,第二导电型半导体区域设置在第一导电型半导体区域的周围,外周缘半导体区域具有与第一导电型半导体区域相同的导电型。
另外,在本发明的背面电极型太阳能电池中,优选的是,第一导电型半导体区域及第二导电型半导体区域中,导电型与硅衬底的导电型不同的半导体区域的合计面积更大。
另外,在本发明的背面电极型太阳能电池中,优选的是,第一导电型用电极及第二导电型用电极中,在硅衬底的背面配置于最外侧的电极是相同的导电型用的电极。
另外,在本发明的背面电极型太阳能电池中,优选的是,第一导电型用电极及第二导电型用电极中,在硅衬底的背面配置于最外侧的电极是与外周缘半导体区域的导电型不同的导电型用的电极。
另外,在本发明的背面电极型太阳能电池中,优选的是,在硅衬底的受光面侧,设置有与硅衬底为相同导电型的受光面扩散层。
另外,在本发明的背面电极型太阳能电池中,优选还具有:受光面钝化膜,其设置在受光面扩散层上;防反射膜,其设置在受光面钝化膜上;防反射膜是包含与硅衬底为相同导电型的杂质的氧化钛膜。
发明的效果
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的