[发明专利]用于锗和硼离子注入的助气的实施

权利要求书

1.一种用于提高离子注入器中的离子源的性能和延长所述离子源的寿命的离子注入系统，所述离子注入系统包括：

离子源组件，所述离子源组件包括掺杂气控制器、助气控制器以及离子源室，所述掺杂气控制器操作上控制含氟掺杂气源至离子源室中的速率和流动，并且所述助气控制器操作上控制助气至离子源室中的速率和流动，其中所述助气与所述含氟掺杂气反应；

束线组件，所述束线组件从所述离子源接收所述离子束并且处理所述离子束；以及

标靶位置，所述标靶位置从所述束线组件接收所述离子束。

2.如权利要求1所述的系统，其中所述助气控制器将所述助气从一个或多个助气源释放至所述离子源室中。

3.如权利要求2所述的系统，其中将所述助气和所述掺杂气同时释放至所述离子源室中。

4.如权利要求2所述的系统，其中将所述助气和所述掺杂气依序释放至所述离子源室中。

5.如权利要求1所述的系统，其中所述助气至所述离子源室中的速率和流动的操作上控制是预定的。

6.如权利要求2所述的系统，其中所述助气至所述离子源室中的速率和流动的操作上控制是在所述离子注入系统的操作过程中调节的。

7.如权利要求1所述的系统，其中所述含氟掺杂气源包括三氟化硼、四氟化锗、三氟化磷或四氟化硅中的一个或多个。

8.如权利要求1所述的系统，其中所述助气包括氢。

9.如权利要求9所述的系统，其中所述助气与所述含氟掺杂气反应以形成氟化氢。

10.如权利要求9所述的系统，其中所述助气进一步包括氪。

11.一种用于提高离子注入器中的离子源的性能的设备，所述设备包括：

掺杂气控制器，所述掺杂气控制器用于将掺杂气引入至所述离子源室中，所述掺杂气包括含氟气体；以及

助气控制器，所述助气控制器用于将至少一种助气引入至所述离子源室中，所述助气与所述掺杂气中的氟反应以提高所述离子源的性能。

12.如权利要求11所述的设备，其中所述至少一种助气与所述含氟掺杂气反应以产生氟化氢。

13.如权利要求11所述的设备，其中所述助气包括氢。

14.如权利要求13所述的设备，其中所述助气进一步包括氪。

15.一种用于提高包括离子源室的离子源的生产力的方法，所述方法包括：

将含氟掺杂气源引入至所述离子源室，用于在所述离子源室中产生等离子体；

将至少一种助气引入至所述离子源室，所述助气操作上与所述等离子体中的氟离子反应，以减少所述离子源室中污染物的形成；

激发所述室内的含氟气体源，以生成解离并离子化的掺杂物和氟自由基成分的等离子体；以及

使所述气体源的解离并离子化的氟成分与所述至少一种助气反应，以减少离子源室的中毒并增加离子源寿命。

16.如权利要求15所述的方法，其中所述气体源包括三氟化硼、四氟化锗、三氟化磷或四氟化硅中的一个或多个。

17.如权利要求16所述的方法，其中所述助气包括氢。

18.如权利要求17所述的方法，其中所述助气进一步包括氪。

19.如权利要求17所述的方法，其中所述气体源的解离并离子化的氟成分与所述至少一种助气的反应包括形成氟化氢。

20.如权利要求15所述的方法，所述方法进一步包括将预定量的助气释放至所述离子源室中。