[发明专利]垂直扩散金属氧化物半导体场效晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种垂直扩散金属氧化物半导体DMOS场效晶体管FET，其具有单元结构，所述单元结构包括：

衬底；

在所述衬底上的具有第一传导类型的外延层或阱；

具有第二传导类型的第一基极区域及第二基极区域，其布置于所述外延层或阱内且间隔开预定义的距离；

具有第一传导类型的第一源极区域及第二源极区域，其分别布置于所述第一基极区域及所述第二基极区域内；

栅极结构，其通过绝缘层而与所述外延层或阱绝缘且布置于所述第一基极区域与所述第二基极区域之间的区域上方且至少部分覆盖所述第一基极区域及所述第二基极区域，其中所述栅极结构包括间隔开的第一栅极及第二栅极，其中每一栅极覆盖所述基极区域的相应部分。

2.根据权利要求1所述的垂直DMOS-FET，其中所述基极区域进一步包括分别包围所述第一基极区域及所述第二基极区域的具有所述第二传导类型的第一扩散区及第二扩散区。

3.根据权利要求1所述的垂直DMOS-FET，其进一步包括连接所述第一源极区域及所述第二源极区域与所述第一基极区域及所述第二基极区域的源极金属层。

4.根据权利要求1所述的垂直DMOS-FET，其进一步包括连接所述第一栅极与所述第二栅极的栅极金属层。

5.根据权利要求1所述的垂直DMOS-FET，其中所述第一栅极及所述第二栅极是由连接所述第一栅极与所述第二栅极的栅极层形成。

6.根据权利要求5所述的垂直DMOS-FET，其中所述第一栅极及所述第二栅极连接于所述单元结构外。

7.根据权利要求1所述的垂直DMOS-FET，其中所述第一栅极与所述第二栅极通过线接合而连接。

8.根据权利要求1所述的垂直DMOS-FET，其进一步包括在所述衬底的背面上的漏极金属层。

9.根据权利要求1所述的垂直DMOS-FET，其中所述单元结构或多个单元结构形成于集成电路装置中。

10.根据权利要求9所述的垂直DMOS-FET，其中所述集成电路装置提供切换模式电力供应器的控制功能。

11.根据权利要求1所述的垂直DMOS-FET，其中所述第一传导类型为P型，且所述第二传导类型为N型。

12.根据权利要求1所述的垂直DMOS-FET，其中所述第一传导类型为N型，且所述第二传导类型为P型。

13.根据权利要求1所述的垂直DMOS-FET，其中所述衬底具有所述第一传导类型或所述第二传导类型。

14.根据权利要求13所述的垂直DMOS-FET，其中如果所述衬底具有所述第二传导类型，那么所述漏极经由顶表面连接。

15.一种用于制造垂直扩散金属氧化物半导体DMOS场效晶体管FET的单元结构的方法，其包括：

在布置于衬底上的具有第二传导类型的外延层或阱中形成包括用于垂直DMOS-FET的具有第一传导类型的第一源极区域及第二源极区域的单元结构，其中所述第一源极区域与所述第二源极区域间隔开预定义的距离；

在所述外延层或阱的顶部上形成绝缘的栅极层；

图案化所述栅极层以形成相互间隔开的第一栅极及第二栅极。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述图案化步骤是在单一步骤中执行。

17.根据权利要求15所述的方法，其中图案化所述栅极层的所述步骤提供连接所述第一栅极与所述第二栅极的所述栅极层的桥接区。

18.根据权利要求17所述的方法，其中所述桥接区位于所述单元结构外。

19.根据权利要求15所述的方法，其进一步包括通过金属层连接所述第一栅极与所述第二栅极。

20.根据权利要求15所述的方法，其进一步包括通过线接合连接所述第一栅极与所述第二栅极。

21.根据权利要求15所述的方法，其中所述衬底具有所述第一传导类型或所述第二传导类型。

22.根据权利要求15所述的方法，其中如果所述衬底具有所述第二传导类型，那么所述漏极经由顶表面连接。