[发明专利]悬浮液、研磨液套剂、研磨液、基板的研磨方法及基板有效
申请号: | 201180055798.4 | 申请日: | 2011-11-21 |
公开(公告)号: | CN103222036B | 公开(公告)日: | 2016-11-09 |
发明(设计)人: | 岩野友洋 | 申请(专利权)人: | 日立化成株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;B24B37/00;C09K3/14 |
代理公司: | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人: | 徐申民;杜娟 |
地址: | 日本国东京都千*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 悬浮液 研磨 液套剂 方法 | ||
1.一种悬浮液,含有磨粒和水,其中,
所述磨粒含有4价金属元素的氢氧化物,
且,所述磨粒的含量调节至1.0质量%的水分散液,在以1.59×105G的离心加速度离心分离50分钟时,所形成的液层中的不挥发成分的含量在500ppm以上的液层的物质。
2.如权利要求1记载的悬浮液,其中,
在所述磨粒的含量调节至1.0质量%的水分散液中,所述磨粒,是使该水分散液对于波长400nm的光的吸光度在1.50以上的物质。
3.如权利要求1或2记载的悬浮液,其中,
在所述磨粒的含量调节至0.0065质量%的水分散液中,所述磨粒,是使该水分散液对于波长290nm的光的吸光度在1.000以上的物质。
4.如权利要求1~3任意一项记载的悬浮液,其中,
在所述磨粒的含量调节至0.0065质量%的水分散液中,所述磨粒,是使该水分散液对于波长450~600nm的光的吸光度在0.010以下的物质。
5.如权利要求1~4任意一项记载的悬浮液,其中,
在所述磨粒的含量调节至1.0质量%的水分散液中,所述磨粒,是使该水分散液对于波长500nm的光的透光率在50%/cm以上的物质。
6.如权利要求1~5任意一项记载的悬浮液,其中,
所述4价金属元素的氢氧化物是将4价金属元素的盐与碱液混合而得的物质。
7.如权利要求1~6任意一项记载的悬浮液,其中,所述4价金属元素是4价铈。
8.一种研磨液套剂,其中,
该研磨液的构成成分被分为第1液体和第2液体分别保存,
将所述第1液体和所述第2液体混合成为研磨液,
所述第1液体是权利要求1~7任意一项记载的悬浮液,
所述第2液体含有添加剂和水。
9.如权利要求8记载的研磨液套剂,其中,
所述添加剂是从乙烯醇聚合物以及该乙烯醇聚合物的衍生物中所选出的至少1种。
10.如权利要求8或9记载的研磨液套剂,其中,
所述添加剂的含量以研磨液总质量为基准在0.01质量%以上。
11.一种研磨液,含有磨粒、添加剂和水,其中,
所述磨粒含有4价金属元素的氢氧化物,
且,所述磨粒的含量调节至1.0质量%的水分散液,在以1.59×105G的离心加速度离心分离50分钟时,所形成的液层中的不挥发成分的含量在500ppm以上的液层的物质。
12.如权利要求11记载的研磨液,其中,
在所述磨粒的含量调节至1.0质量%的水分散液中,所述磨粒,是使该水分散液对于波长400nm的光的吸光度在1.50以上的物质。
13.如权利要求11或12记载的研磨液,其中,
在所述磨粒的含量调节至0.0065质量%的水分散液中,所述磨粒,是使该水分散液对于波长290nm的光的吸光度在1.000以上的物质。
14.如权利要求11~13任意一项记载的研磨液,其中,
在所述磨粒的含量调节至0.0065质量%的水分散液中,所述磨粒,是使该水分散液对于波长450~600nm的光的吸光度在0.010以下的物质。
15.如权利要求11~14任意一项记载的研磨液,其中,
在所述磨粒的含量调节至1.0质量%的水分散液中,所述磨粒,是使该水分散液对于波长500nm的光的透光率在50%/cm以上的物质。
16.如权利要求11~15任意一项记载的研磨液,其中,
所述4价金属元素的氢氧化物,是将4价金属元素的盐与碱液混合而得的物质。
17.如权利要求11~16任意一项记载的研磨液,其中,所述4价金属元素是4价铈。
18.如权利要求11~17任意一项记载的研磨液,其中,
所述添加剂是从乙烯醇聚合物以及该乙烯醇聚合物的衍生物中所选出的至少1种。
19.如权利要求11~18任意一项记载的研磨液,其中,
所述添加剂的含量以研磨液总质量为基准在0.01质量%以上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造