[发明专利]包含n型掺杂剂源的光伏装置

权利要求书

1.一种光伏装置，所示光伏装置包括：

透光的支撑层；

缓冲层，包含n型掺杂剂；

透明导电氧化物，设置在支撑层和缓冲层之间；

吸收层；以及

窗口层，设置在吸收层和缓冲层之间。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，掺杂剂选自于周期表的第III族元素。

3.根据权利要求1所述的装置，其中，缓冲层具有从大约到大约的厚度。

4.根据权利要求3所述的装置，其中，缓冲层中的掺杂剂的浓度是从大约1×10¹⁷原子/cm³到大约1×10¹⁸原子/cm³。

5.根据权利要求1所述的装置，其中，缓冲层包含氧化锡、氧化锌锡或氧化镉锌中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的装置，其中，缓冲层包括至少两个缓冲层。

7.根据权利要求6所述的装置，其中，缓冲层包括三个相邻堆叠的缓冲层。

8.根据权利要求1所述的装置，其中，窗口层包含n型掺杂剂。

9.根据权利要求8所述的装置，其中，窗口层中的掺杂剂的载流子浓度是从大约1×10¹⁴原子/cm³到大约1×10¹⁹原子/cm³。

10.一种光伏模块，所述光伏模块包括多个根据权利要求1所述的光伏装置，所述多个光伏装置彼此电连接。

11.一种光伏装置，所述光伏装置包括：

透光的支撑层；

缓冲层，包含第一浓度的n型掺杂剂；

透明导电氧化物，设置在支撑层和缓冲层之间；

吸收层；以及

窗口层，设置在吸收层和缓冲层之间，窗口层包含第二浓度的n型掺杂剂。

12.根据权利要求11所述的装置，其中，掺杂剂选自于周期表的第VII族元素。

13.根据权利要求11所述的装置，其中，缓冲层具有从大约到大约的厚度。

14.根据权利要求11所述的装置，其中，缓冲层包含氧化锡、氧化锌锡或氧化镉锌中的至少一种。

15.根据权利要求11所述的装置，其中，缓冲层包括至少两个缓冲层。

16.根据权利要求11所述的装置，其中，第一浓度与第二浓度不同。

17.根据权利要求11所述的装置，其中，窗口层中的第二浓度是从大约1×10¹⁴原子/cm³到大约1×10¹⁹原子/cm³。

18.一种形成光伏装置的方法，所述方法包括以下步骤：

设置透光的支撑层；

在支撑层上形成透明导电氧化物；

在透明导电氧化物上形成缓冲层；

用n型掺杂剂以第一浓度掺杂缓冲层；

在缓冲层上形成窗口层，n型掺杂剂在热处理过程中从缓冲层扩散到窗口层中；以及

在窗口层上形成吸收层。

19.根据权利要求18所述的方法，其中，掺杂剂选自于周期表的第III族元素。

20.根据权利要求18所述的方法，其中，缓冲层以从大约到大约的厚度形成。

21.根据权利要求18所述的方法，其中，缓冲层中的第一浓度是从大约1×10¹⁷原子/cm³到大约1×10¹⁸原子/cm³。

22.根据权利要求21所述的方法，其中，在热处理后，窗口层具有从大约1×10¹⁴原子/cm³到大约1×10¹⁷原子/cm³的掺杂剂的载流子浓度。

23.根据权利要求22所述的方法，其中，在热处理后，缓冲层包含第三浓度的n型掺杂剂。