[发明专利]扩音器有效
申请号: | 201180056449.4 | 申请日: | 2011-11-23 |
公开(公告)号: | CN103222280A | 公开(公告)日: | 2013-07-24 |
发明(设计)人: | 马萨斯·韦伯;埃沃德·弗华斯欧 | 申请(专利权)人: | 楼氏电子亚洲有限公司 |
主分类号: | H04R7/14 | 分类号: | H04R7/14;H04R9/06 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 杨静 |
地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 新加坡;SG |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 扩音器 | ||
技术领域
本发明涉及扩音器。
背景技术
扩音器包括用于产生声压波的薄膜以及附着到薄膜上的音圈。由于所产生的电磁场与永磁体磁场的相互作用,施加在音圈上的控制信号促使音圈运动。音圈通常被排列在静态永磁体周围或内部。
薄膜通常包括放射状地位于外部悬挂区域内部的穹顶形结构,该结构悬挂在其外围处并在中心或靠近外围处附着到音圈上。
穹顶区域需要具有等于或高于整体系统频谱的上限的指定谐振频率,以避免可用频段处对声压级的干扰效应。穹顶的谐振频率取决于穹顶的硬度与质量。需要质量尽可能的小,并且需要调谐硬度到所需的谐振频率。
因此,在希望使用额外材料来提高硬度与希望保持穹顶质量尽可能小之间存在折中。具体地,为了维持穹顶的高谐振频率,需要硬度高。然而,需要穹顶区域的质量尽可能小以改善扩音器总体性能。
扬声器结构通常限制了动态移动薄膜的空间,因此需要穹顶区域尽可能薄以便在使用中不会减少薄膜使用的空间。此外,由于附加的处理时间、工艺复杂度以及额外制造成本,应该避免额外组件部分。
除了柔性薄膜结构以外,用于实现对于穹顶区域的要求的已知方法还使用了不易弯曲且轻质板。这在生产中会出现困难并且增加成本。
一种备选方案是使用薄膜材料来对穹顶定型。按照这种方式,质量可以保持尽可能小。通常,这种方法针对穹顶产生球面形状,但是存在的问题在于结构过高。
因此,存在薄膜设计的需要,这种设计在使用最少材料的情况下增大穹顶的硬度,并使得能够形成较薄的设计。
发明内容
根据本发明,提供了一种扩音器,包括:
音圈;
和附着在音圈上的隔膜;
其中隔膜具有基本矩形的外形,并且包括外部边沿和在外部边沿内的内部部分,所述隔膜被固定在外部边沿的外侧边缘的位置处,其中内部部分包括:
与音圈耦合的最外侧区域,具有相同的基本矩形的外形;
内部区域,包括周期性肋结构,所述肋的走向平行于矩形外形的较短侧,以及位于周期性肋结构的边缘和最外侧区域的较短侧边缘之间有两个横向过渡的区域。
本发明提供了一种扩音器设计,其中由单个组件形成隔膜,所述设计可将高硬度、较薄总体厚度和较小质量相结合。
最外侧区域与过渡区域的结合围绕周期性肋区域提供了封闭且坚硬的框架。该框架可以使周期性肋区域较小,由此通过将谐振时在周期性肋区域的边缘处产生的力与薄膜系统的其余部分去耦来增大谐振频率。
周期性肋区域具有在较长边缘之间延伸的肋。在与周期性结构相交每个点处,较长边缘与沿着肋的方向的直线相连。该直线连接具有避免周期性肋区域沿短轴方向被拉长/压缩的功能。通常周期性结构使得周期性肋区域沿较短矩形边缘的方向更加坚硬。
优选地,横向过渡区域关于平行于矩形外形的较短边的线成镜像对称。每个横向过渡区域可以包含穹顶。每个这种穹顶可以包括第一部分,提供从与周期性肋结构的边界处的最小高度到最大高度的高度增加;以及第二部分,提供从最大高度到隔膜附着到音圈处的最小高度的更为急剧的弯曲高度减小。第一部分具有凹形形状,提供了坚硬的效果。
第二个部分具有到第一部分的平滑过渡,以及到隔膜附着到音圈处的最小高度的不连续过渡。
优选地,周期性肋结构在最外侧区域的较长侧边处完全延伸到最外侧区域。因此,肋结构从顶部到底部完全延伸(具有从左至右的长侧的矩形),由此肋和最外侧区域限定了刚性框架。
优选地,周期性肋结构的高度不超过横向过渡区域的高度。
优选地,基本矩形隔膜外形的较长侧小于隔膜厚度的100倍。优选地,基本矩形的外形包括具有倒圆角部的矩形。在这种情况下,沿着较长矩形侧方向的过渡区域的大小可以对应于最外侧区域的内部边缘的弯曲角部的大小。这意味着肋占据了隔膜的最大矩形区域。
附图说明
现在将参考附图来详细描述本发明的示例,图中:
图1A示出了本发明的扩音器的薄膜的截面图;
图1B以平面图示出了图1A的薄膜;
图2以透视图示出了图1A的薄膜;
图3更清楚地示出了图1A和1B的设计的横向过渡区域;
图4示出了周期性肋区域的矩形外形;
图5示出了图2的横向过渡区域第一部分的弯曲边缘;
图6和7用于更清楚地示出出于解释本发明的目的限定的一些区域;
图8示出了包括本发明的扩音器的移动电话。
具体实施方式
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于楼氏电子亚洲有限公司,未经楼氏电子亚洲有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201180056449.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。