[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法有效
申请号: | 201180056529.X | 申请日: | 2011-05-09 |
公开(公告)号: | CN103250242A | 公开(公告)日: | 2013-08-14 |
发明(设计)人: | 平松星纪;寺井护 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L23/29 | 分类号: | H01L23/29;H01L23/31;H01L25/07;H01L25/18 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 李今子 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置,其特征在于,具备:
半导体元件基板,在绝缘基板的一面形成了电极图案,以及在所述绝缘基板的另一面形成了背面电极;
树脂制的应力缓和粘接层,在所述绝缘基板的表面,覆盖未形成所述电极图案或者所述背面电极的部分的至少一部分;
半导体元件,经由接合材料固定到所述电极图案的、与所述绝缘基板相反一侧的面;以及
第一密封树脂,覆盖该半导体元件以及所述半导体元件基板,
所述应力缓和粘接层的树脂的弹性率比所述第一密封树脂的弹性率小。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
在半导体元件基板的所述半导体元件被固定的一侧且所述半导体元件基板的周边部分,具备以包围所述半导体元件基板的周围的方式设置的比半导体元件的高度高的树脂制的划区壁,并且第一密封树脂充满所述划区壁的内侧,所述划区壁的树脂的弹性率比所述第一密封树脂的弹性率小。
3.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,
应力缓和粘接层的树脂和划区壁的树脂由相同的材料形成。
4.根据权利要求2或者3所述的半导体装置,其特征在于,
具备第二密封树脂,该第二密封树脂覆盖第一密封树脂以及划区壁,具有比第一密封树脂的弹性率小的弹性率。
5.根据权利要求1~4中的任意一项所述的半导体装置,其特征在于,
应力缓和粘接层的树脂或者划区壁的树脂的弹性率是30kPa至1GPa的范围,第一密封树脂的弹性率是1GPa至20GPa的范围。
6.一种半导体装置,其特征在于,具备:
半导体元件基板,在绝缘基板的一面形成了电极图案,以及在所述绝缘基板的另一面形成了背面电极;
半导体元件,经由接合材料固定到所述电极图案的、与所述绝缘基板相反一侧的面;
树脂制的划区壁,在所述半导体元件基板的所述半导体元件被固定的一侧且所述半导体元件基板的周边部分,以包围所述半导体元件基板的周围的方式设置,并且比半导体元件的高度高;以及
第一密封树脂,在所述划区壁的内侧以覆盖所述半导体元件以及所述半导体元件基板的方式设置,
所述划区壁的树脂的弹性率比所述第一密封树脂的弹性率小。
7.根据权利要求6所述的半导体装置,其特征在于,
具备第二密封树脂,该第二密封树脂覆盖第一密封树脂以及划区壁,具有比第一密封树脂的弹性率小的弹性率。
8.根据权利要求1~7中的任意一项所述的半导体装置,其特征在于,
半导体元件由宽带隙半导体形成。
9.根据权利要求8所述的半导体装置,其特征在于,
宽带隙半导体是碳化硅、氮化镓系材料或者金刚石的半导体。
10.一种权利要求3所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,通过如下工序形成划区壁以及应力缓和粘接层:
利用具有树脂注入孔的上夹具和下夹具夹持半导体元件基板的工序;
在用所述上夹具和所述下夹具夹持了所述半导体元件基板的状态下设置为减压环境的工序;
在该减压环境下从所述树脂注入孔注入未硬化的树脂的工序;以及
在注入了树脂之后在大气压环境下取出,在使所注入的树脂硬化之后,拆下所述上夹具和所述下夹具而进行脱模的工序。
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