[发明专利]应用在无芯基板工艺中的电解金或金钯表面终饰有效
申请号: | 201180056629.2 | 申请日: | 2011-09-26 |
公开(公告)号: | CN103238204A | 公开(公告)日: | 2013-08-07 |
发明(设计)人: | T·吴;C·古鲁默西 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L21/20 | 分类号: | H01L21/20 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 韩宏;陈松涛 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 应用 无芯基板 工艺 中的 电解 表面 | ||
1.一种方法,包括:
提供金属芯,所述金属包括铜;
在所述金属芯上形成图案化光致抗蚀剂层;
在所述图案化光致抗蚀剂层的开口中的金属芯上电解电镀第一铜层;
在所述开口中的所述第一铜层上电解电镀金层,使得所述第一铜层定位在所述金属芯与所述金层之间;
在所述金层上电解电镀钯层,使得所述金层定位在所述第一铜层与所述钯层之间;
在所述钯层上电解电镀第二铜层;
其中,所述金层包括与所述第一铜层直接接触的第一表面和与所述钯层直接接触的第二表面;
其中,所述钯层包括与所述金层直接接触的第一表面和与所述第二铜层直接接触的第二表面;以及
在电解电镀所述第二铜层之后,去除所述金属芯和所述第一铜层,其中保留无芯基板。
2.根据权利要求1所述的方法,还包括,在电解电镀所述第二铜层之后且在去除所述金属芯之前:
去除所述光致抗蚀剂层;
在所述芯和所述电解电镀层上形成电介质材料;
在所述电介质材料中形成通孔,定位所述通孔以露出所述第二铜层的一部分;
在所述电介质材料上和在所述通孔中的所述第二铜层所露出部分上形成金属层;
在所述金属层上形成图案化光致抗蚀剂层,其中,所述图案化光致抗蚀剂层未覆盖所述通孔;
在所述通孔中的金属层上电解电镀第三铜层;并且
去除所述图案化光致抗蚀剂层。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,在所述无芯基板中没有形成镍层。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述无芯基板的表面包括凹部,并且所述外表面终饰金层被定位在所述凹部中。
5.根据权利要求1所述的方法,还包括定位与所述金层相接触的包括无铅焊料的焊料凸点,并且提供热量以熔化焊料并形成焊接点,所述焊接点包括金属间化合物,所述金属间化合物包括来自锡焊料的锡和来自所述第二铜层的铜。
6.一种方法,包括:
提供金属芯,所述金属包括铜;
在所述金属芯上形成图案化光致抗蚀剂层;
在所述图案化光致抗蚀剂层的开口中的所述金属芯上电解电镀第一铜层;
在所述开口中的所述第一铜层上电解电镀金层,使得所述第一铜层定位在所述金属芯与所述金层之间;
在钯层上电解电镀第二铜层;
其中,所述金层包括与所述第一铜层直接接触的第一表面和与所述第二铜层直接接触的第二表面;以及
在电解电镀所述第二铜层之后,去除所述金属芯及所述第一铜层,其中保留无芯基板。
7.根据权利要求6所述的方法,还包括,在电解电镀所述第二铜层之后且在去除所述金属芯之前:
去除所述光致抗蚀剂层;
在所述芯和所述电解电镀层上形成电介质材料;
在所述电介质材料中形成通孔,定位所述通孔以露出所述第二铜层的一部分;
在所述电介质材料上和在所述通孔中的所述第二铜层所露出部分上形成金属层;
在所述金属层上形成图案化光致抗蚀剂层,其中,所述图案化光致抗蚀剂层未覆盖所述通孔;
在所述通孔中的金属层上电解电镀第三铜层;并且
去除所述图案化光致抗蚀剂层。
8.根据权利要求6所述的方法,其中,所述无芯基板的表面包括凹部,并且所述外表面终饰金层被定位在所述凹部中。
9.根据权利要求6所述的方法,其中,所述电介质层包括ABF。
10.根据权利要求6所述的方法,还包括定位与所述金层相接触的包括无铅焊料的焊料凸点,并且提供热量以熔化焊料并形成焊接点,所述焊接点包括金属间化合物,所述金属间化合物包括来自锡焊料的锡和来自所述第二铜层的铜。
11.一种组件,包括:
无芯基板,其包括铜层、电介质层以及所述铜层上的表面终饰;
所述铜层包括晶态铜层;
所述表面终饰包括晶态金层;
其中,定位所述晶态金层以覆盖所述铜层的表面。
12.根据权利要求11所述的组件,其中,所述表面终饰还包括晶态钯层,所述晶态钯层定位在所述晶态金层与所述晶态铜层之间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司,未经英特尔公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201180056629.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种澳洲坚果酱及其制备方法
- 下一篇:一种粗铜中除锡的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造