[发明专利]等离子体加工装置

权利要求书

1.一种用于在基片连续加工设备中加工至少一个平坦的基片（28）的等离子体加工装置，其中该等离子体加工装置具有：

至少一个基片承载电极（27），放置在该基片承载电极上的基片可以被输送通过该基片连续加工设备，并且该基片承载电极对接地电位是直流绝缘的；

一个平面式构成的高频电极（2），该高频电极上施加有交流电压并且该高频电极被设置在放置于该基片承载电极（27）上的至少一个基片（28）之上的一个间距处；

一个罐形地在该基片承载电极（27）之上构成的暗室屏蔽物（1），

其中该罐形暗室屏蔽物（1）的开口区域与该至少一个基片（28）对齐，并且该罐形暗室屏蔽物（1）具有一个使该暗室屏蔽物（1）向外展宽的边缘（6），该边缘紧密地安排在该基片承载电极（27）之上并且平行于其表面安排，并且

其中在该等离子体加工装置运行时，在该基片承载电极（27）或者一个或多个基片（28）、该高频电极（2）与该暗室屏蔽物（1）之间设有一用于形成低压等离子体的等离子体室（5）；

至少一个在背侧上且平行于该基片承载电极（27）安排的、导电的第二电极（25）；以及

一个气体供应装置用于向该等离子体室（5）中引入处理气体；

其特征在于，

该第二电极是一置于接地电位的接地电极（25），其中该基片承载电极（27）可以电容性地偶合在该接地电极（25）上，并且

该气体供应装置具有至少一个设置在该高频电极（2）和/或该暗室屏蔽物（1）中的气体入口（14，15，16；31，37，32，34）和至少一个设置在该暗室屏蔽物（1）中的气体出口（10，8；9，7；9，38，40）。

2.如权利要求1所述的等离子体加工装置，其特征在于，在该高频电极（2）的、限定的有效面积的条件下，将该基片承载电极（27）与该接地电极（25）之间的间距和/或该基片承载电极的面积大小针对该接地电极（25）进行适配，使得在放电条件下在该高频电极（2）直至接地电极（25）之间流动的高频位移电流在该基片承载电极（27）与该接地电极（25）之间不提供适于等离子体点燃的电压降。

3.如权利要求1或2所述的等离子体加工装置，其特征在于，该高频电极（2）拥有一环绕的、升高的边缘区域（29）。

4.如权利要求1至3中任一项所述的等离子体加工装置，其特征在于，该具有该高频电极（2）和该暗室屏蔽物（1）的高频电极安排是垂直于该基片承载电极（27）的输送方向而线性地定标度。

5.如权利要求1至4中任一项所述的等离子体加工装置，其特征在于，用约50kHz至约100MHz的激励频率来驱动该具有该高频电极（2）和该暗室屏蔽物（1）的高频电极安排。

6.如权利要求1至5中任一项所述的等离子体加工装置，其特征在于，高频电极（2）具有多个高频送入装置（3）用于送入高频能量。

7.如权利要求1至6中任一项所述的等离子体加工装置，其特征在于，可以用该暗室屏蔽物（1）来加热和/或冷却该高频电极安排。

8.如权利要求1至7中任一项所述的等离子体加工装置，其特征在于，在该高频电极（2）中设置有至少一个管道以便用一个热载体来调节温度，其中该热载体通过至少一个与至少一个温度调节装置相连接的高频送入装置（3）进行供给。

9.如权利要求1至8中任一项所述的等离子体加工装置，其特征在于，在该暗室屏蔽物（1）的、朝向基片的侧面上安装一个框状的导流装置（6）。

10.如权利要求1至9中任一项所述的等离子体加工装置，其特征在于，该基片承载电极（27）的面积至少等于或者大于由该暗室屏蔽物（1）的开口面形成的面积。

11.如权利要求1至10中任一项所述的等离子体加工装置，其特征在于，该接地电极（25）的面积大于或者等于该基片承载电极（27）的面积。

12.如权利要求1至11中任一项所述的等离子体加工装置，其特征在于，该接地电极（25）具有一个用介电材料制造的涂层。

13.如权利要求1至12中任一项所述的等离子体加工装置，其特征在于，在该接地电极（25）的、朝向该基片承载电极（27）的侧面上安排有一个用介电材料制造的板。