[发明专利]用于在UV腔室中调节晶圆处理轮廓的方法及装置无效
申请号: | 201180056998.1 | 申请日: | 2011-11-21 |
公开(公告)号: | CN103229277A | 公开(公告)日: | 2013-07-31 |
发明(设计)人: | S·巴录佳;J·C·罗查-阿尔瓦雷斯;A·T·迪莫斯 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/26 | 分类号: | H01L21/26;H01L21/3105 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 徐伟 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 uv 腔室中 调节 处理 轮廓 方法 装置 | ||
1.一种基板处理工具,包含:
处理腔室,该处理腔室定义处理区域;
基板支撑件,该基板支撑件用以支撑一基板在该处理区域内;
紫外线(UV)辐射源,该UV辐射源和该基板支撑件隔离,且该UV辐射源配置成朝向设置在该基板支撑件上的该基板传输紫外线辐射;以及
光透射窗口,该光透射窗口设置在该UV辐射源与该基板支撑件之间,该光透射窗口具有被涂覆在该光透射窗口上的第一光学膜层。
2.如权利要求1所述的处理工具,其中该第一光学膜层是中心-至-边缘的均匀层,该中心-至-边缘的均匀层完全地且连续地被沉积在该光透射窗口的表面上。
3.如权利要求2所述的处理工具,其中该第一光学膜层包含单一抗反射涂层(ARC)或具有多个交替对比折射率层的压合ARC膜堆栈。
4.如权利要求1所述的处理工具,其中该第一光学膜层在径向方向上具有非均匀厚度轮廓,其中该第一光学膜层在该光透射窗口的周边区域处的厚度比在该第一光学膜层的中心区域处的厚度相对更厚。
5.如权利要求4所述的处理工具,其中该第一光学膜层在该中心区域处具有约20nm到约600nm的总厚度,并且该第一光学膜层在该周边区域处具有约80nm到约2000nm的总厚度。
6.如权利要求1所述的处理工具,其中该光透射窗口的该中心区域未被涂覆该第一光学膜层,且该中心区域具有约50mm到100mm的直径。
7.如权利要求1所述的处理工具,其中该第一光学膜层被涂覆在该光透射窗口面对该UV辐射源的第一表面上、在该光透射窗口面对该基板支撑件的第二表面上或在该光透射窗口的该第一和第二表面两者上。
8.如权利要求3所述的处理工具,其中该压合ARC膜堆栈包含第一层与第二层,该第一层是氧化硅(SiO2)层且该第二层是氧化钛(TiO2)层或氧化锡(SnO2)层。
9.如权利要求6所述的处理工具,还包含:
红外线吸收层,该红外线吸收层被沉积在该第一光学膜层的该周边区域处,其中该红外线吸收层沿着该光透射窗口的该圆周具有约20mm到约80mm的恒定径向宽度。
10.如权利要求1所述的处理工具,更包含:
透明喷头,该透明喷头设置在该处理区域内且位于该光透射窗口与该基板支撑件之间,并且该透明喷头具有一或更多个通道被形成穿过该透明喷头,其中该透明喷头被涂覆有第二光学膜层,该第二光学膜层包含单一抗反射涂层(ARC)、具有多个交替对比折射率层的压合ARC膜堆栈、或二色性涂层。
11.一种提供遍布基板的表面的均匀UV辐射照射轮廓的方法,该基板被放置在处理腔室中,该方法包含以下步骤:
提供处理腔室,该处理腔室定义处理区域,该处理腔室具有UV辐射源;及
将从该UV辐射源被放射的紫外线辐射传输通过光透射窗口而朝向设置在基板支撑件上的该基板,其中该光透射窗口被涂覆有第一光学膜层,且该第一光学膜层的厚度被调节成以致设置在该光透射窗口下方的该基板的周边接收比该基板的中心区域更高的UV照射。
12.如权利要求11所述的方法,其中该第一光学膜层包含单一抗反射涂层(ARC)或具有多个交替对比折射率层的压合ARC膜堆栈。
13.如权利要求11所述的方法,其中该光透射窗口的该中心区域未被涂覆该第一光学膜层。
14.如权利要求11所述的方法,还包含以下步骤:
沉积红外线吸收层在该第一光学膜层的该周边区域处,其中该红外线吸收层沿着该光透射窗口的该圆周具有一约20mm到约80mm的恒定径向宽度。
15.一种用在紫外线处理腔室中的光透射窗口,包含:
窗口主体,该窗口主体具有第一表面与第二表面,该第一表面平行于该第二表面且和该第二表面相对,且该窗口主体被配置成维持该紫外线处理腔室的真空,该窗口主体包含:
光学膜层,该光学膜层被沉积在该窗口主体的该第一与/或该第二表面上,该光学膜层在径向方向上具有非均匀厚度轮廓,其中该光学膜层在该窗口主体的周边区域处的厚度比在该第一光学膜层的中心区域处的厚度相对更厚,以及其中该光学膜层包含单一抗反射涂层(ARC)或具有多个交替对比折射率层的压合ARC膜堆栈。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造