[发明专利]半导体材料固结和/或结晶系统的热交换器

权利要求书

1.热交换器（1），尤其是半导体材料固结和/或结晶系统的热交换器，所述热交换器包括第一构件（2;2a;2b;2c;2d;2e;2f;2g;2h;2i;2j）和第二构件（3;3a;3b;3c;3d;3e;3f;3g;3h;3i;3j），所述第一构件和所述第二构件能相对于彼此移动，其特征在于，所述第一构件包括第一起伏部（21），所述第二构件包括第二起伏部（31），所述第一起伏部用于与所述第二起伏部相配合；并且，所述热交换器还包括移动元件（9），所述移动元件使所述第一构件相对于所述第二构件移动，允许控制交换的热通量。

2.根据权利要求1所述的热交换器，其特征在于，所述移动元件包括调节器（92），用于根据所期望的交换的热通量来调节所述第一构件和所述第二构件之间的距离。

3.根据权利要求2所述的热交换器，其特征在于，所述调节器允许将所述第一构件和所述第二构件定位于至少两个不同的距离处，以获得至少两个不同的交换的热通量或至少两个不同的交换系数。

4.根据权利要求2或3所述的热交换器，其特征在于，所述调节器允许将两个构件之间的距离在交换表面积最小的第一位置和交换表面积最大的第二位置之间连续改变。

5.根据前述权利要求中任一项所述的热交换器，其特征在于，所述第一起伏部包括凹陷部（23）和凸起（22）；并且，所述第二起伏部包括凹陷部（33）和凸起（32）。

6.根据权利要求5所述的热交换器，其特征在于，所述凸起及所述凹陷部的间距沿所述第一构件及所述第二构件的一尺度是能变化的。

7.根据前述权利要求中任一项所述的热交换器，其特征在于，所述凸起的高度沿所述第一构件和所述第二构件中的至少一个的一尺度是能变化的。

8.根据前述权利要求中任一项所述的热交换器，其特征在于，所述第一起伏部和所述第二起伏部通过凸起嵌合在凹陷部中进行配合。

9.根据前述权利要求中任一项所述的热交换器，其特征在于，所述第一起伏部具有配有斜侧面的凸起，所述斜侧面平行于所述第二起伏部的凹陷部的斜侧面。

10.根据前述权利要求中任一项所述的热交换器，其特征在于，所述第一起伏部和所述第二起伏部具有平行六面体结构，尤其是沿同一纵向轴线布置的结构。

11.根据前述权利要求中任一项所述的热交换器，其特征在于，所述第一起伏部的凸起被覆以第一种材料（24;24h;24i;24j），所述第一种材料的热特性不同于构成所述第一构件的其余部分的材料的热特性，尤其是具有隔热特性。

12.根据前述权利要求中任一项所述的热交换器，其特征在于，所述第二起伏部的凸起被覆以第二种材料（34;34h;34i;34j），所述第二种材料的热特性不同于构成所述第二构件的其余部分的材料的热特性，尤其是具有隔热特性。

13.根据前述权利要求中任一项所述的热交换器，其特征在于，所述第一构件和第二构件的材料具有不同的热特性。

14.根据前述权利要求中任一项所述的热交换器，其特征在于，所述第一构件用于与坩埚（4）或与模具进行热连接；并且，所述第二构件用于与冷源（5）进行热连接。

15.根据前述权利要求中任一项所述的热交换器，其特征在于，所述热交换器包括第一元件，用于在坩埚和所述第一构件之间设置可调节的气体厚度；和/或所述热交换器包括第二元件，用于在冷源和所述第二构件之间设置可调节的气体厚度。

16.根据前述权利要求中任一项所述的热交换器，其特征在于，所述第一构件和/或所述第二构件的凸起中的至少一个凸起的尺寸确定成，在所述第一构件和所述第二构件的特殊的相对位置，所述至少一个凸起接触所述第二构件和/或所述第一构件的凹陷部的底部。

17.半导体材料固结和/或结晶系统，其特征在于，其包括根据前述权利要求中任一项所述的热交换器。