[发明专利]铜配线用基板清洗剂及铜配线半导体基板的清洗方法

权利要求书

1.一种铜配线用基板清洗剂，其是由含有[I]以下述通式[1]表示的氨基酸和[II]烷基羟胺的水溶液构成的，

式中，R¹表示氢原子、羧甲基或羧乙基；R²和R³各自独立地表示氢原子、或具有或不具有羟基的碳原子数为1～4的烷基，其中，R¹～R³均为氢原子的情况除外。

2.如权利要求1所述的清洗剂，其中，所述铜配线被铜(I)-苯并三唑络合物被覆，所述铜(I)-苯并三唑络合物由1价的铜和苯并三唑或其衍生物形成。

3.如权利要求1所述的清洗剂，其中，所述铜配线被铜(II)-喹哪啶酸络合物被覆，所述铜(II)-喹哪啶酸络合物由2价的铜和喹哪啶酸或其衍生物形成。

4.如权利要求1所述的清洗剂，其中，所述基板是进行了化学机械抛光(CMP)后的基板。

5.如权利要求2所述的清洗剂，其中，该清洗剂用于除去氢氧化铜(II)和氧化铜(II)中的至少任一种。

6.如权利要求3所述的清洗剂，其中，该清洗剂用于除去铜(II)-喹哪啶酸络合物、氢氧化铜(II)和氧化铜(II)中的至少任一种。

7.如权利要求1所述的清洗剂，其中，所述水溶液的pH为9～11的范围。

8.如权利要求1所述的清洗剂，其中，所述水溶液的pH为4～7的范围。

9.如权利要求1所述的清洗剂，其中，该清洗剂进一步含有[III]胺或铵盐。

10.如权利要求1所述的清洗剂，其中，该清洗剂进一步含有[IV]盐酸、硫酸、磷酸或选自它们中的任一种盐。

11.如权利要求9所述的清洗剂，其中，该清洗剂仅由所述[I]、[II]、[III]和水构成。

12.如权利要求10所述的清洗剂，其中，该清洗剂仅由[I]、[II]、[IV]和水构成。

13.如权利要求9所述的清洗剂，其中，所述[I]以通式[1]表示的氨基酸的重量%为0.001重量%～6重量%、所述[II]烷基羟胺的重量%为0.001重量%～20重量%、以及所述[III]胺或铵盐的重量%为0.002重量%～10重量%。

14.如权利要求10所述的清洗剂，其中，所述[I]以通式[1]表示的氨基酸的重量%为0.001重量%～3重量%、所述[II]烷基羟胺的重量%为0.001重量%～10重量%、以及所述[IV]盐酸、硫酸、磷酸或选自它们中的任一种盐的重量%为0.002重量%～10重量%，所述铜配线被由1价的铜和苯并三唑或其衍生物形成的铜(I)-苯并三唑络合物被覆。

15.如权利要求2所述的清洗剂，其中，所述[I]以通式[1]表示的氨基酸由下述通式[2]或下述通式[3]表示，

式中，R^2'和R^3'各自独立地表示氢原子、或具有或不具有羟基的碳原子数为1～4的烷基，其中，R^2'和R^3'均为氢原子的情况除外，

式中，R^1'表示羧甲基或羧乙基。

16.如权利要求2所述的清洗剂，其中，所述[I]以通式[1]表示的氨基酸选自N-甲基甘氨酸、N,N-双(2-羟乙基)甘氨酸、N-[三(羟甲基)甲基]甘氨酸、天冬氨酸和谷氨酸。

17.如权利要求3所述的清洗剂，其中，所述[I]以通式[1]表示的氨基酸的1种选自N,N-双(2-羟乙基)甘氨酸和N-[三(羟甲基)甲基]甘氨酸。

18.如权利要求1所述的清洗剂，其中，所述[II]烷基羟胺由下述通式[4]表示，

式中，R⁴表示碳原子数为1～6的烷基；R⁵表示氢原子或碳原子数为1～6的烷基。

19.如权利要求1所述的清洗剂，其中，所述[II]烷基羟胺选自N-乙基羟胺、N,N-二乙基羟胺、N-正丙基羟胺。