[发明专利]介电涂层和制品有效
| 申请号： | 201180057477.8 | 申请日： | 2011-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN103229249B | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | R·吕格尔;M·昆茨 | 申请（专利权）人： | 默克专利股份有限公司 |
| 主分类号： | H01B3/18 | 分类号： | H01B3/18;H01B3/00;C08K3/013;C09D101/18;C09D7/41;C09D7/61;C09D5/24 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 邓毅 |
| 地址： | 德国达*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 介电涂层 表面电阻率 | ||
1.介电的制品，特征在于，所述制品均具有大于或等于108欧姆的表面电阻率，包含一种或多种半导体颜料、介电粘结剂和任选地其他的介电添加剂，其中在所述制品中所述半导体颜料的颜料体积浓度≥10％，并且
所述半导体颜料的粉末电阻率≥100千欧姆·厘米并且小于1千兆欧姆·厘米；并且
所述颜料选自下列组：
云母薄片+掺杂的SnO2层，
云母薄片+掺杂的SnO2层+TiO2层，
云母薄片+掺杂的SnO2层+SiO2层，
云母薄片+掺杂的SnO2层+ZnO层，
云母薄片+掺杂的SnO2层+Cr2O3层，
云母薄片+掺杂的SnO2层+Al2O3层，
Al2O3薄片+掺杂的SnO2层，
Al2O3薄片+掺杂的SnO2层+TiO2层，
Al2O3薄片+掺杂的SnO2层+SiO2层，
Al2O3薄片+掺杂的SnO2层+ZnO层，
Al2O3薄片+掺杂的SnO2层+Cr2O3层，
Al2O3薄片+掺杂的SnO2层+Al2O3层。
2.根据权利要求1的介电的制品，特征在于，所述半导体颜料的粉末电阻率大于100千欧姆·厘米并且小于1千兆欧姆·厘米。
3.根据权利要求1的介电的制品，特征在于，所述制品是涂层。
4.根据权利要求1-3的任一项的介电的制品的用途，用于传感器、陶瓷材料、玻璃、纸、激光标记、热防护、光学半导体中。
5.根据权利要求1-3的任一项的介电的制品的用途，用于安全应用。
6.根据权利要求1-3的任一项的介电的制品的用途，用于地面覆层。
7.根据权利要求1-3的任一项的介电的制品的用途，用于膜。
8.根据权利要求1-3的任一项的介电的制品的用途，用于作为用于高压技术的功能材料。
9.根据权利要求4的介电的制品的用途，用于平面接触式传感器中。
10.根据权利要求1-3的任一项的介电的制品的用途，用于有目的地调节旋转电机中的终端电晕屏蔽体系的电性能。
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