[发明专利]用于离子注入的方法和装置

权利要求书

1.一种用于对至少一个基片(2)进行离子注入的方法，其中，通过放电空间(4)内的等离子体源(3)在离子注入装置(1，1’)中产生离子密度为至少10¹⁰cm^-3的等离子体，

其中，所述放电空间(4)在待进行注入的所述基片(2)的方向上受到具有彼此间隔开的贯通孔(5)的等离子体限制壁(6)的限制，所述等离子体限制壁处于等离子体电势或最大值为±100V的电势，并且在所述离子注入装置(1，1’)内，所述放电空间内的压力高于所述基片(2)所处的空间内的压力；

其中，所述基片(2)承载在基片支架(7)上，其基片表面(8)与所述等离子体限制壁(6)对置；并且

其中，所述基片(2)和/或所述基片支架(7)用作基片电极，所述基片电极置于相对于所述等离子体为高负电势，以使得离子从所述等离子体中在所述基片(2)的方向上被加速并且注入到所述基片(2)中，

其中，

所述至少一个基片(2)和/或所述基片支架(7)在基片传输装置上移动，所述基片传输装置与所述等离子体限制壁(6)对置地沿朝向所述放电空间(4)的基片传输方向(T)且顺着所述放电空间(4)连续或不连续地行进，并穿过所述放电空间(4)，其中，在所述离子注入过程中，所述放电空间(4)的气体供应及气体排出与所述至少一个基片(2)所处的空间是分开的。

2.如权利要求1所述的方法，其中，在基片载体上的不同位置(A、B、C)处设置的多个基片(2)借助于所述基片传输装置移动穿过所述放电空间(4)。

3.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述至少一个基片(2)和/或所述等离子体源(3)以均一的速度正加速或负加速，和/或以受控的停留时间彼此移动穿过。

4.如权利要求3所述的方法，其中，在所述基片(2)与等离子体源(3)的相对移动过程中改变所述基片(2)与等离子体源(3)之间的距离。

5.如权利要求4所述的方法，其中，所述基片(2)和/或等离子体源(3)在竖直方向上以振荡的方式移动，或者在三维方向上移动。

6.如权利要求3、4或5所述的方法，其中，在基片(2)和等离子体源(3)的相对移动过程中，所述至少一个基片(2)和/或所述等离子体源(3)的移动方向逆转至少一次。

7.如前述权利要求中至少一项所述的方法，其中，在所述基片传输装置的基片传输方向上在所述放电空间(4)的上游和下游设置有锁定器，通过所述锁定器，所述基片传输装置上的所述至少一个基片(2)被传输到所述离子注入装置(1，1’)中并在完成离子注入之后传输出所述离子注入装置。

8.如前述权利要求中至少一项所述的方法，其中，所述负电势以负电压脉冲的形式施加给所述基片电极(2，7)，所述等离子体以脉冲的方式产生，并且所述基片电极(2，7)的脉冲以及所述等离子体的脉冲以同步的方式相对于彼此同相或有相位偏移地进行。

9.如前述权利要求中至少一项所述的方法，其中，可线性伸缩的等离子体源用作所述等离子体源(3)。

10.如前述权利要求中至少一项所述的方法，其中，以线或图案的形式彼此并排布置的多个单独的等离子体源用作所述等离子体源(3)。

11.如前述权利要求中至少一项所述的方法，其中，在所述等离子体限制壁(6)与所述基片电极(2，7)之间设置有具有与所述等离子体限制壁(6)中相同布置的贯通孔(10)的中间电极(9)，其中所述中间电极(9)置于最大值为500V的水平的正电势，其中，利用所述中间电极(9)的电势来使得能够从所述放电空间(4)引出离子或阻断从所述放电空间(4)引出离子，同时所述等离子体保持在所述放电空间(4)中。

12.如权利要求11所述的方法，其中，所述正电势以脉冲的形式施加给所述中间电极(9)，并且所述中间电极(9)的脉冲相对于所述基片电极(2，7)的脉冲和/或所述等离子体的脉冲以同步的方式相对于彼此同相或有相位偏移地进行。

13.如权利要求8或9及权利要求11或12中至少一项所述的方法，其中，在所述可线性伸缩的等离子体源的下方或在所述单独的等离子体源的下方设置有具有用于产生不同的注入图案的局部不同图案的贯通孔(10)的中间电极(9)。