[发明专利]配线结构和溅射靶材有效
| 申请号： | 201180057732.9 | 申请日： | 2011-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN103238217B | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 森田晋也;三木绫;安野聪;钉宫敏洋 | 申请（专利权）人： | 株式会社神户制钢所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;C23C14/34;H01L21/363 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 龚敏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 结构 溅射 | ||
1.一种配线结构，其特征在于，
该配线结构是在基板上至少具有栅极绝缘膜和氧化物半导体层的配线结构，其中，
所述氧化物半导体层为具有第1氧化物半导体层和第2氧化物半导体层的层叠体，
该第1氧化物半导体层包括选自In、Ga、Zn和Sn中的至少一种元素即Z组元素，
该第2氧化物半导体层含有选自In、Ga、Zn和Sn中的至少一种元素即X组元素和选自Al、Si、Ti、Hf、Ta、Ge、W和Ni中的至少一种元素即Y组元素，且，
所述第2氧化物半导体层形成在所述第1氧化物半导体层与所述栅极绝缘膜之间。
2.根据权利要求1所述的配线结构，其中，Y组元素的总计含量相对于构成所述第2氧化物半导体层的全部金属的总计含量为0.5～8.0原子％。
3.根据权利要求1所述的配线结构，其中，所述第2氧化物半导体层的厚度为0.5～10nm。
4.根据权利要求2所述的配线结构，其中，所述第2氧化物半导体层的厚度为0.5～10nm。
5.根据权利要求1所述的配线结构，其中，所述第2氧化物半导体层中含有的X组元素的种类和各元素间的比率与所述第1氧化物半导体层中含有的Z组元素的种类和各元素间的比率相同。
6.根据权利要求2所述的配线结构，其中，所述第2氧化物半导体层中含有的X组元素的种类和各元素间的比率与所述第1氧化物半导体层中含有的Z组元素的种类和各元素间的比率相同。
7.根据权利要求1所述的配线结构，其中，所述第1氧化物半导体层的厚度为10～200nm。
8.根据权利要求2所述的配线结构，其中，所述第1氧化物半导体层的厚度为10～200nm。
9.根据权利要求1所述的配线结构，其中，所述第2氧化物半导体层中含有的Y组元素选自Si、Hf和Ni中的至少一种。
10.根据权利要求2所述的配线结构，其中，所述第2氧化物半导体层中含有的Y组元素选自Si、Hf和Ni中的至少一种。
11.根据权利要求1所述的配线结构，其中，所述氧化物半导体层的密度为5.8g/cm3以上。
12.根据权利要求2所述的配线结构，其中，所述氧化物半导体层的密度为5.8g/cm3以上。
13.一种溅射靶材，其特征在于，其为用于形成权利要求1～12中任一项所述的第2氧化物半导体层的溅射靶材，
其含有选自In、Ga、Zn和Sn中的至少一种元素即X组元素，和
选自Al、Si、Ti、Hf、Ta、Ge、W和Ni中的至少一种元素即Y组元素。
14.根据权利要求13所述的溅射靶材，其中，Y组元素选自Si、Hf和Ni中的至少一种。
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