[发明专利]半导体装置、TFT基板以及半导体装置与TFT基板的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于：

其为具有薄膜晶体管的半导体装置，

所述半导体装置包括：

所述薄膜晶体管的栅极电极；

形成在所述栅极电极之上的栅极绝缘层；

配置在所述栅极绝缘层之上的、所述薄膜晶体管的氧化物半导体层；和

形成在所述氧化物半导体层之上的、所述薄膜晶体管的源极电极和漏极电极，

从与所述半导体装置的基板面垂直的方向看时，所述源极电极或所述漏极电极将所述栅极电极的边缘与所述氧化物半导体层的边缘交叉的多个部位中的至少一个部位覆盖。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

从与所述半导体装置的基板面垂直的方向看时，所述源极电极和所述漏极电极将所述栅极电极的边缘与所述氧化物半导体层的边缘交叉的所述多个部位全部覆盖。

3.一种半导体装置，其特征在于：

其为具有薄膜晶体管的半导体装置，

所述半导体装置包括：

所述薄膜晶体管的栅极电极；

形成在所述栅极电极之上的栅极绝缘层；

配置在所述栅极绝缘层之上的、所述薄膜晶体管的氧化物半导体层；和

形成在所述氧化物半导体层之上的、所述薄膜晶体管的源极电极和漏极电极，

从与所述半导体装置的基板面垂直的方向看时，所述氧化物半导体层不与所述栅极电极的边缘相交而形成在所述栅极电极的所述边缘的内侧。

4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于：

所述源极电极和所述漏极电极包含含有铝的层。

5.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于：

所述源极电极和所述漏极电极包含：含有钛的第一层；和形成在所述第一层之上的含有铝的第二层。

6.一种TFT基板，其特征在于：

其为具有与像素对应配置的薄膜晶体管和辅助电容的显示装置的TFT基板，

所述TFT基板包括：

所述辅助电容的辅助电容电极；

形成在所述辅助电容电极之上的绝缘层；

配置在所述绝缘层之上的氧化物半导体层；和

形成在所述氧化物半导体层之上的、所述辅助电容的辅助电容对置电极，

从与所述TFT基板的基板面垂直的方向看时，所述辅助电容对置电极将所述辅助电容电极的边缘与所述氧化物半导体层的边缘交叉的多个部位中的至少一个部位覆盖。

7.一种TFT基板，其特征在于：

其为具有与像素对应配置的薄膜晶体管和辅助电容的显示装置的TFT基板，

所述TFT基板包括：

所述辅助电容的辅助电容电极；

形成在所述辅助电容电极之上的绝缘层；

配置在所述绝缘层之上的氧化物半导体层；和

形成在所述氧化物半导体层之上的、所述辅助电容的辅助电容对置电极，

从与所述TFT基板的基板面垂直的方向看时，所述氧化物半导体层不与所述辅助电容电极的边缘相交而形成在所述辅助电容电极的所述边缘的内侧。

8.如权利要求6或7所述的TFT基板，其特征在于，包括：

所述薄膜晶体管的栅极电极；

形成在所述栅极电极之上的栅极绝缘层；

配置在所述栅极绝缘层之上的、所述薄膜晶体管的氧化物半导体层；和

形成在所述薄膜晶体管的所述氧化物半导体层之上的、所述薄膜晶体管的源极电极和漏极电极，

从与所述TFT基板的基板面垂直的方向看时，所述源极电极或所述漏极电极将所述栅极电极的边缘与所述薄膜晶体管的所述氧化物半导体层的边缘交叉的多个部位中的至少一个部位覆盖。

9.如权利要求6或7所述的TFT基板，其特征在于，包括：

所述薄膜晶体管的栅极电极；

形成在所述栅极电极之上的栅极绝缘层；

配置在所述栅极绝缘层之上的、所述薄膜晶体管的氧化物半导体层；和

形成在所述薄膜晶体管的所述氧化物半导体层之上的、所述薄膜晶体管的源极电极和漏极电极，

从与所述TFT基板的基板面垂直的方向看时，所述薄膜晶体管的所述氧化物半导体层不与所述栅极电极的边缘相交而形成在所述栅极电极的所述边缘的内侧。