[发明专利]荧光体的制造方法无效

专利信息
申请号: 201180057940.9 申请日: 2011-12-02
公开(公告)号: CN103237866A 公开(公告)日: 2013-08-07
发明(设计)人: 户田健司;上松和义;佐藤峰夫;石垣雅;川上义贵;梅田铁 申请(专利权)人: 国立大学法人新泻大学;住友化学株式会社
主分类号: C09K11/08 分类号: C09K11/08;C09K11/59;H01L33/50
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 蒋亭
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 荧光 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种硅酸盐系氧氮化物荧光体的制造方法,其包括:

在使原料混合物与含有气相的Si的含Si气体接触的同时进行烧成,生成硅酸盐系氧氮化物荧光体的工序。

2.根据权利要求1所述的制造方法,其中,

所述硅酸盐系氧氮化物荧光体由(MmLn)SipOqNr表示,

M为选自Mg、Ca、Sr及Ba中的至少一种元素,

L为选自稀土类元素、Bi及Mn中的至少一种元素,

m为0.8~1.2,

n为0.001~0.2,

p为1.8~2.2,

q为1.5~4.5,

r为0.5~2.2。

3.根据权利要求1所述的制造方法,其中,所述硅酸盐系氧氮化物荧光体为α-SIALON荧光体或β-SIALON荧光体。

4.根据权利要求1所述的制造方法,其中,

所述硅酸盐系氧氮化物荧光体由M12a(M2bLc)M3dOyNx表示,

M1为选自碱金属中的至少一种元素,

M2为选自碱土类金属中的至少一种元素,

M3为Si、或者为Si及Ge,

L为选自稀土类元素、Bi及Mn中的至少一种元素,

a为0.9~1.5,

b为0.8~1.2,

c为0.005~0.2,

d为0.8~1.2,

x为0.001~1.0,

y为3.0~4.0。

5.一种发光装置,其具有能够通过权利要求1~4中任一项所述的制造方法而制造的硅酸盐系氧氮化物荧光体。

6.一种白色LED,其具有能够通过权利要求1~4中任一项所述的制造方法而制造的硅酸盐系氧氮化物荧光体。

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