[发明专利]荧光体的制造方法无效
申请号: | 201180057940.9 | 申请日: | 2011-12-02 |
公开(公告)号: | CN103237866A | 公开(公告)日: | 2013-08-07 |
发明(设计)人: | 户田健司;上松和义;佐藤峰夫;石垣雅;川上义贵;梅田铁 | 申请(专利权)人: | 国立大学法人新泻大学;住友化学株式会社 |
主分类号: | C09K11/08 | 分类号: | C09K11/08;C09K11/59;H01L33/50 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 蒋亭 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 荧光 制造 方法 | ||
1.一种硅酸盐系氧氮化物荧光体的制造方法,其包括:
在使原料混合物与含有气相的Si的含Si气体接触的同时进行烧成,生成硅酸盐系氧氮化物荧光体的工序。
2.根据权利要求1所述的制造方法,其中,
所述硅酸盐系氧氮化物荧光体由(MmLn)SipOqNr表示,
M为选自Mg、Ca、Sr及Ba中的至少一种元素,
L为选自稀土类元素、Bi及Mn中的至少一种元素,
m为0.8~1.2,
n为0.001~0.2,
p为1.8~2.2,
q为1.5~4.5,
r为0.5~2.2。
3.根据权利要求1所述的制造方法,其中,所述硅酸盐系氧氮化物荧光体为α-SIALON荧光体或β-SIALON荧光体。
4.根据权利要求1所述的制造方法,其中,
所述硅酸盐系氧氮化物荧光体由M12a(M2bLc)M3dOyNx表示,
M1为选自碱金属中的至少一种元素,
M2为选自碱土类金属中的至少一种元素,
M3为Si、或者为Si及Ge,
L为选自稀土类元素、Bi及Mn中的至少一种元素,
a为0.9~1.5,
b为0.8~1.2,
c为0.005~0.2,
d为0.8~1.2,
x为0.001~1.0,
y为3.0~4.0。
5.一种发光装置,其具有能够通过权利要求1~4中任一项所述的制造方法而制造的硅酸盐系氧氮化物荧光体。
6.一种白色LED,其具有能够通过权利要求1~4中任一项所述的制造方法而制造的硅酸盐系氧氮化物荧光体。
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