[发明专利]场发射显示器装置及其制造方法

权利要求书

1.一种场发射显示器（FED），包括：上板，所述上板包括形成在上基体上的阳极电极和荧光粉；下板，所述下板面对所述上板，且在所述上板和所述下板之间具有真空空间间隙，所述下板包括形成在下基体上的多个薄膜图案；以及间隔体，所述间隔体设置在所述上板和所述下板之间以保持所述真空空间间隙，其中

所述下板包括：

阴极电极，所述阴极电极包括钼（Mo）、铝（Al）、铜（Cu）、铬（Cr）及其合金中的一种或多种金属，并形成在所述基体上；

扩散阻断层，所述扩散阻断层包括钛（Ti）、钨（W）、钽（Ta）以及三种金属的合金、硅以及硅化合物中的任一种或混合物，并形成在所述阴极电极上；

金属籽晶，所述金属籽晶通过利用镍（Ni）和铁（Fe）中的任一种形成在所述扩散阻断层上，并包括已粒化的晶粒；

碳纳米管（CNT），所述碳纳米管从所述金属籽晶的晶粒中生长为单晶体；

栅绝缘层，所述栅绝缘层形成在形成有所述阴极电极、所述扩散阻断层以及所述金属籽晶的所述基体上，以覆盖所述CNT；以及

栅电极，所述栅电极包括钼（Mo）、铝（Al）、铜（Cu）、铬（Cr）及其合金中的一种或多种金属，并形成在所述栅绝缘层上，

其中，所述CNT的上端部能通过所述栅电极内的栅孔暴露。

2.如权利要求1所述的场发射显示器，其中，当所述扩散阻断层由硅（Si）和硅化合物中的任一种制成并且形成在所述阴极电极和所述栅电极之间时，所述金属籽晶层包括硅化镍。

3.如权利要求1所述的场发射显示器，其中，所述扩散阻断层和所述金属籽晶层堆叠的图案仅在所述栅孔下面形成。

4.如权利要求1所述的场发射显示器，其中，所述扩散阻断层和所述金属籽晶层堆叠的图案形成在包括所述栅孔的像素区及其相邻区内。

5.如权利要求1所述的场发射显示器，其中，所述阴极电极具有介于到范围内的厚度，

所述扩散阻断层具有介于到范围内的厚度，

所述金属籽晶层具有介于到范围内的厚度，

所述CNT具有介于2μm到20μm范围内的高度，

所述栅绝缘层具有介于0.2μm到20μm范围内的厚度，

所述栅电极具有介于到范围内的厚度，以及

CNT通过覆盖所述CNT的所述栅绝缘层而聚集在一起的CNT束部分的介电常数和所述CNT束附近的无CNT的部分的介电常数大体相同，都介于2到8的范围内。

6.如权利要求1所述的场发射显示器，其中，所述栅绝缘层的上端部被移除位于所述栅孔的下面的所述栅绝缘层的整个厚度的1/2或更小的深度，所述CNT的最上端部定位于所述栅绝缘层的最厚部分的表面以下。

7.如权利要求1所述的场发射显示器，其中，所述CNT具有圆锥形结构和圆柱形结构中的任一种，并垂直立在所述金属籽晶层上。

8.如权利要求1所述的场发射显示器，其中，所述间隔体利用玻璃和瓷中的任一种作为主成分，并包括以矩阵形式设置的多个开口，所述间隔体的所述多个开口之间的节距与以矩阵形式设置在所述下板上的多个像素或多个亚像素的节距大体相等。

9.如权利要求8所述的场发射显示器，其中，所述上板、所述下板、以及所述间隔体由相同材料制成。

10.如权利要求8所述的场发射显示器，其中，所述间隔体包括：

障壁，所述障壁对所述开口进行划界；以及

排气凹槽，所述排气凹槽形成为在所述障壁内具有一定深度，并形成为排气路径。