[发明专利]直接晶片结合

权利要求书

1.组件(200，200a)，包括：

第一晶片(110，203)；

在所述第一晶片(110，203)上的第一结合层(120，220)；

第二晶片(130，260)；和

在所述第二晶片(130，260)上的第二结合层(140，240)；

其中所述第一结合层和所述第二结合层(120，220，140，240)直接结合，以形成结合的层；和

其中所述第一结合层和所述第二结合层(120，220，140，240)分别与所述第一晶片和所述第二晶片(110，203，130，260)晶格匹配。

2.权利要求1所述的组件，其中所述第一结合层和所述第二结合层(120，220，140，240)为(Al)(Ga)InP(As)(Sb)。

3.权利要求1或2所述的组件，其中所述第一结合层和所述第二结合层(120，220，140，240)具有等于或大于大约5×10¹⁸/cm³的掺杂浓度。

4.权利要求1或2所述的组件，其中所述掺杂浓度等于或低于大约5×10¹⁸/cm³。

5.权利要求1或2所述的组件，其中所述第一结合层和所述第二结合层(120，220，140，240)被类似地掺杂。

6.权利要求1或2所述的组件，其中所述第一结合层和所述第二结合层(120，220，140，240)被不同地掺杂。

7.权利要求1-3中任一项所述的组件，其中所述结合层是隧道结。

8.权利要求1-6中任一项所述的组件，其中所述第一晶片和所述第二晶片(110，203，130，260)包括选自Si、Ge、GaAs基、InP基、GaP基、GaSb基和Ga(In)N基材料的一个或多个层。

9.权利要求1-8中任一项所述的组件，其中所述第一晶片和/或所述第二晶片(110，203，130，260)的任一个或两者包括一个或多个半导体层。

10.权利要求1-8中任一项所述的组件，其中所述第一晶片和/或所述第二晶片(110，203，130，260)的任一个或两者包括一个或多个半导体器件。

11.权利要求10所述的组件，其中所述一个或多个半导体器件为InP基器件。

12.权利要求1-11中任一项所述的组件，其中所述InP基器件为太阳能电池。

13.包括权利要求1-11中任一项所述的结合的组件的器件，其中所述器件为光电器件、太阳能电池、光敏元件、发光二极管和晶体管中的至少一个。

14.制造结合的组件的方法，包括：

提供第一晶片(110，203)；

在所述第一晶片(110，203)上形成第一结合层(120，220)，以形成第一子组件(102，202)；

提供第二晶片(130，260)；

在所述第二晶片(130，260)上形成第二结合层(140，240)，以形成第二子组件(104，204)；并且

结合所述第一结合层(120，220)至所述第二结合层(140，240)；

其中所述第一结合层和所述第二结合层(120，220，140，240)分别与所述第一晶片和所述第二晶片(110，203，130，260)晶格匹配。

15.权利要求14所述的方法，其中所述第一结合层和所述第二结合层在大约300℃至大约500℃之间的温度下结合。

16.权利要求14或15所述的方法，其中所述第一结合层和所述第二结合层在大约20psi和大约50psi之间的压力下结合。

17.权利要求14-16所述的方法，其中所述第一结合层和所述第二结合层为具有等于或大于大约5×10¹⁸/cm³的掺杂浓度的(Al)(Ga)InP(As)(Sb)层。

18.权利要求14-16所述的方法，其中所述第一结合层和所述第二结合层具有等于或低于大约5×10¹⁸/cm³的掺杂浓度。