[发明专利]用于转换半导体层的方法

权利要求书

1.一种用于同时将非晶半导体层转换成晶体半导体层并且氢气钝化该半导体层的方法，其中，

转换通过利用等离子体对半导体层进行处理来实现，该等离子体由配备有等离子体喷嘴（1）的等离子体源来产生，并且其中半导体层被回火到在≥150℃到≤500℃之间的温度上，其中所述等离子体源具有布置在所述等离子体喷嘴（1）的空腔中的并且与所述等离子体喷嘴（1）通过绝缘体（3）电绝缘的内电极，以通过自维持的气体放电来产生等离子体，其中所述等离子体喷嘴（1）用作零电势的电极，

其中等离子体由工艺气体产生，该工艺气体包括≤40体积%的一个/多个惰性气体、≥50体积%到≤90体积%的氮气和≤10体积%的氢气，其中氮气、一个/多个惰性气体和/或氢气的体积百分比值之和总共结果是100体积百分比。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，等离子体通过具有＜30 kHz的频率的电压来产生。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，转换在大气压下进行。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其中，该工艺气体包括惰性气体混合物。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，该工艺气体包括氩气和/或氮气。

6.根据权利要求1或2所述的方法，其中，

处理温度通过调节工艺气体的组成、和/或调节工艺气体压力或工艺气体速度、和/或调节在等离子体喷嘴与半导体层之间的距离、和/或调节处理时间而被调节。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，

处理温度通过调节等离子体在半导体层之上运动的处理速度而被调节。

8.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述半导体层为硅层。

9.一种半导体层，其根据权利要求1至8之一所述的方法来制造。

10.一种电子或者光电子产品，其包括根据权利要求9所述的半导体层。

11.根据权利要求10所述的电子或者光电子产品，其中，所述电子或者光电子产品构造为太阳能电池。

12.一种在根据权利要求1至8之一所述的用于同时将非晶半导体层转换成晶体半导体层并且氢气钝化该半导体层的方法中使用的等离子体源，其包括：

等离子体喷嘴（1），

布置在等离子体喷嘴（2）的空腔中的并且与等离子体喷嘴（1）电绝缘的内电极（2），

气体和电压供给设备（10），用于将工艺气体馈入到等离子体喷嘴（1）的空腔中并且用于将电势差施加到内电极（2）和等离子体喷嘴（1）上，以便在内电极（2）与等离子体喷嘴（1）之间通过自维持的气体放电产生等离子体，

其中气体和电压供给设备（10）包括至少两个气体端子，用于馈入不同气体种类，并且气体和电压供给设备（10）包括气体混合单元，用于将来自不同气体种类的工艺气体混合，其中气体混合单元被设计用于将不同气体种类按可调节的比率彼此混合。

13.根据权利要求12所述的等离子体源，其中，所述气体和电压供给设备（10）包括至少三个气体端子，用于馈入不同气体种类。

14.根据权利要求12或13所述的等离子体源，其中，所述等离子体源是间接等离子体源。