[发明专利]用于制造发射辐射的半导体芯片的方法、发射辐射的半导体芯片以及发射辐射的器件

权利要求书

1.用于制造发射辐射的半导体芯片的方法，所述方法具有以下步骤：

-提供半导体本体（1），所述半导体本体设置用于从辐射出射面（2）发射第一波长范围的电磁辐射，

-将具有第一波长转换材料（9）的第一波长转换层（8）施加到所述半导体本体（1）的所述辐射出射面（2）的上方，所述第一波长转换材料将所述第一波长范围的辐射转换成第二波长范围的辐射，其中施加方法选自：沉降、电泳，以及

-将具有第二波长转换材料（6）的第二波长转换层（4）施加到所述半导体本体（1）的辐射出射面（2）的上方，所述第二波长转换材料将所述第一波长范围的辐射转换成第三波长范围的辐射，其中所述第二波长转换层（4）在单独的方法步骤中制造且随后施加或者施加方法选自：沉降、电泳、印刷。

2.根据上一项权利要求所述的方法，其中在用于制造所述第二波长转换层（4）的单独的方法步骤期间执行下述方法中的一种：注射成型、烧结。

3.根据上述权利要求之一所述的方法，其中所述第一波长转换层（8）和所述第二波长转换层（4）构成共同的边界面。

4.根据上述权利要求之一所述的方法，其中将所述第一波长转换层（8）或所述第二波长转换层（4）以直接接触的方式施加到所述半导体本体（1）的所述辐射出射面（2）上。

5.根据上述权利要求之一所述的方法，其中所述第一波长转换材料（8）和/或所述第二波长转换材料（6）选自：由稀土金属掺杂的石榴石、由稀土金属掺杂的碱土金属硫化物、由稀土金属掺杂的硫代镓酸盐，由稀土金属掺杂的铝酸盐、由稀土金属掺杂的正硅酸盐、由稀土金属掺杂的氯代硅酸盐、由稀土金属掺杂的碱土金属氮化硅、由稀土金属掺杂的氧氮化物和由稀土金属掺杂的氮氧化铝、由稀土金属掺杂的氮化硅、基于氧化物的波长转换材料体系、基于氮化物的波长转换材料体系、基于硫化物的波长转换材料体系、基于硒化物的波长转换材料体系、基于氮氧化硅的波长转换材料体系。

6.根据上述权利要求之一所述的方法，其中具有下述波长转换材料（6，9）的波长转换层（4，8）与具有另一波长转换材料（6，9）的另一波长转换层（4，8）相比更靠近所述半导体本体（1）设置，所述波长转换材料与所述另一波长转换材料（6，9）相比将所述第一波长范围的辐射转换成更长波的波长范围。

7.根据上述权利要求之一所述的方法，其中在各个所述波长转换层（4，8）之内的所述第二波长转换材料（6）的颗粒或所述第一波长转换材料（9）的颗粒具有大于或等于20%体积百分比的颗粒密度。

8.根据上述权利要求之一所述的方法，其中所述第二波长转换材料（6）的颗粒具有10%体积百分比和100%体积百分比之间的颗粒密度，其中包括边界值。

9.根据上述权利要求之一所述的方法，其中所述第一和/或第二波长转换材料（6，9）的颗粒具有2μm和20μm之间的直径，其中包括边界值。

10.根据上述权利要求之一所述的方法，其中所述半导体本体（1）的侧面（12）完全由所述第一波长转换层（8）覆盖。

11.根据上述权利要求之一所述的方法，其中更靠近所述半导体本体（1）设置的波长转换层（4，8）的侧面（11）完全由另一波长转换层（4，8）覆盖。

12.发射辐射的半导体芯片，所述半导体芯片借助根据上述权利要求之一所述的方法来制造。

13.根据上一项权利要求所述的发射辐射的半导体芯片，其中所述第二波长转换层（4）设置成与所述半导体本体（1）的所述辐射出射面（2）直接接触，并且所述第一波长转换层（8）以直接接触的方式施加到所述第二波长转换层（4）上，其中所述第一波长转换层（8）完全地覆盖所述第二波长转换层（4）的主面（10）、所述第二波长转换层（4）的侧面（11）以及所述半导体本体（1）的侧面（12）。

14.根据权利要求12所述的发射辐射的半导体芯片，其中所述第一波长转换层（8）设置成与所述半导体本体（1）的侧面（12）和所述辐射出射面（2）直接接触，并且所述第二波长转换层（4）以直接接触的方式施加到所述第一波长转换层（8）上。

15.发射辐射的器件，其中将根据权利要求12至14之一所述的半导体芯片设置在承载体（16）上或设置在器件壳体（15）的凹部（14）中。