[发明专利]气体阻隔性膜、气体阻隔性膜的制造方法及电子器件

权利要求书

1.一种气体阻隔性膜，其在基材的至少一方的面侧具有气体阻隔层单元，该气体阻隔层单元具有用化学蒸镀法形成了的第1阻隔层和对在该第1阻隔层上涂布硅化合物而形成了的涂膜实施了改性处理的第2阻隔层，且在该第1阻隔层和该基材之间具有中间层。

2.根据权利要求1所述的气体阻隔性膜，其中，所述用化学蒸镀法形成了的第1阻隔层具有选自氧化硅、氮氧化硅及氮化硅的至少1种。

3.根据权利要求1或2所述的气体阻隔性膜，其中，所述在第1阻隔层上形成的所述第2阻隔层为对涂布聚硅氮烷含有液而形成了的涂膜实施了改性处理的层，在所述基材面侧具有非改性区域，在表层侧具有改性区域。

4.根据权利要求3所述的气体阻隔性膜，其中，位于所述第2阻隔层的表层侧的改性区域的厚度，相对于该第2阻隔层的总膜厚，以厚度比率计为0.2以上、0.9以下。

5.根据权利要求3或4所述的气体阻隔性膜，其中，所述用化学蒸镀法形成了的第1阻隔层具有氧化硅或氮氧化硅，在将该第1阻隔层的弹性模量作为E1、将所述第2阻隔层中的改性区域的弹性模量作为E2、将所述第2阻隔层中的非改性区域的弹性模量作为E3时，满足E1>E2>E3的关系。

6.一种气体阻隔性膜的制造方法，其为制造权利要求3～5的任一项所述的气体阻隔性膜的气体阻隔性膜的制造方法，其中，形成第2阻隔层时实施的改性处理为照射具有180nm以下的波长成分的真空紫外线的处理。

7.一种电子器件，其使用权利要求1～5的任一项所述的气体阻隔性膜。