[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体元件；

引线框架，与所述半导体元件连接；

金属基体板，隔着第1绝缘层配置于所述引线框架；以及

第2绝缘层，设置于所述金属基体板中的与配置了所述第1绝缘层的面相反的一侧，

所述第1绝缘层是散热性比所述第2绝缘层高的绝缘层，

所述第2绝缘层是其绝缘性与所述第1绝缘层的绝缘性相同或者比所述第1绝缘层的绝缘性高的绝缘层。

2.一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体元件；

引线框架，与所述半导体元件连接；

金属基体板，隔着第1绝缘层配置于所述引线框架；以及

第2绝缘层，设置于所述金属基体板中的与配置了所述第1绝缘层的面相反的一侧，

所述第2绝缘层是绝缘性比所述第1绝缘层高的绝缘层，

所述第1绝缘层是其散热性与所述第2绝缘层的散热性相同或者比所述第2绝缘层的散热性高的绝缘层。

3.根据权利要求1或者2所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1绝缘层是散热性比所述第2绝缘层高的绝缘层，并且所述第2绝缘层是绝缘性比所述第1绝缘层高的绝缘层。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1绝缘层以及所述第2绝缘层包含填充物，

所述第1绝缘层的填充物粒子直径大于所述第2绝缘层的填充物粒子直径。

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1绝缘层以及所述第2绝缘层包含填充物，

所述第1绝缘层的填充物的相对介电常数高于所述第2绝缘层的填充物的相对介电常数。

6.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1绝缘层中的作为每单位体积的孔隙含有率的孔隙率高于所述第2绝缘层中的所述孔隙率。

7.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1绝缘层以及所述第2绝缘层包含填充物，

所述第1绝缘层的填充物填充量多于所述第2绝缘层的填充物填充量。

8.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1绝缘层的厚度比所述第2绝缘层的厚度薄。

9.根据权利要求1至8中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

具有与所述金属基体板连接的冷却器，

所述冷却器在所述金属基体板中的与配置了所述第2绝缘层的面相同的一侧的面具有所述第2绝缘层。

10.根据权利要求1至9中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述第2绝缘层是通过粉体涂饰或者电镀涂饰形成的。

11.根据权利要求1至10中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述金属基体板不与对所述半导体元件供给接地电位的接地电位电极连接。

12.根据权利要求1至11中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体元件由宽能带隙半导体材料形成。

13.根据权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，

所述宽能带隙半导体材料是碳化硅、氮化镓系材料和金刚石中的任意一个。