[发明专利]制备二有机二卤代硅烷的方法无效
申请号: | 201180059474.8 | 申请日: | 2011-12-01 |
公开(公告)号: | CN103261208A | 公开(公告)日: | 2013-08-21 |
发明(设计)人: | 阿斯维尼·K·达什;查尔斯·艾伦·霍尔;D·卡佐利斯;罗伯特·托马斯·拉森;马修·J·麦克劳克林;J·D·瓦恩兰 | 申请(专利权)人: | 道康宁公司 |
主分类号: | C07F7/12 | 分类号: | C07F7/12 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 高瑜;郑霞 |
地址: | 美国密*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制备 有机 二卤代 硅烷 方法 | ||
1.一种制备二有机二卤代硅烷的方法,所述方法包括:
在存在包含至少两种金属的金属催化剂的情况下和300℃至800℃的温度下使根据式RSiX3(I)的有机三卤代硅烷与氢气接触,形成二有机二卤代硅烷,其中R为C1-C10烃基,X为卤素,并且所述至少两种金属中的两者选自下列中的至少一者:(i)铜和钯,(ii)铜和金,(iii)铟和铱或(iv)铱和铼。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述二有机二卤代硅烷为根据式R2SiX2。
3.根据权利要求1或2所述的方法,还包括回收所述二有机二卤代硅烷。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法,其中R为甲基,X为氯。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法,其中所述接触是在0kPag至120kPag的压力下进行的。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的方法,其中所述温度为400℃至700℃。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的方法,其中所述金属催化剂还包含载体。
8.根据权利要求7所述的方法,其中所述金属催化剂包含0.1%至35%(w/w)的所述金属。
9.根据权利要求8所述的方法,其中所述载体为碳。
10.根据权利要求1-9中任一项所述的方法,其中所述氢气与所述有机三卤代硅烷的摩尔比为3至400。
11.根据权利要求1-10中任一项所述的方法,其中所述有机三卤代硅烷和氢气具有0.01秒至10分钟的接触时间。
12.根据权利要求1-11中任一项所述的方法,还包括在所述金属催化剂与所述有机三卤代硅烷和氢气接触之后使所述金属催化剂再生。
13.根据权利要求1-12中任一项所述的方法,还包括在所述氢气和所述有机三卤代硅烷在所述金属催化剂存在下接触之前通过用氢气处理所述金属催化剂来活化所述金属催化剂。
14.根据权利要求1-13中任一项所述的方法,其中所述至少两种金属中的两者为铜和钯。
15.根据权利要求1-13中任一项所述的方法,其中所述至少两种金属中的两者为铜和金。
16.根据权利要求1-13中任一项所述的方法,其中所述至少两种金属中的两者为铟和铱。
17.根据权利要求1-13中任一项所述的方法,其中所述至少两种金属中的两者为铱和铼。
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