[发明专利]太阳能电池及太阳能电池的制造方法有效
申请号: | 201180059541.6 | 申请日: | 2011-12-14 |
公开(公告)号: | CN103250261A | 公开(公告)日: | 2013-08-14 |
发明(设计)人: | 福田晃司;今泷智雄;道祖尾泰史;仁科友宏;内藤真介;常深安纪子;白木朋代;山田隆行;棚桥正朝 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 岳雪兰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及太阳能电池及太阳能电池的制造方法。
背景技术
近年来,特别是出于地球环境保护的观点,对将太阳能直接转换为电能的太阳能电池单元作为新一代能源的期待急剧高涨。太阳能电池单元的种类中包括使用化合物半导体的及使用有机材料的等各种,但目前,使用硅晶的太阳能电池单元已成为主流。
目前,制造和销售最多的太阳能电池单元是在太阳光射入一侧的面(受光面)形成n电极、在与受光面相反一侧的面(背面)上形成p电极的结构的双面电极型太阳能电池单元。
而且,也已在开发在太阳能电池单元的受光面不形成电极、而只在太阳能电池单元的背面形成n电极及p电极的背面电极型太阳能电池单元。
作为太阳能电池单元的电极,通常使用印刷银膏后进行烧制而形成的银电极(例如参照专利文献1(日本特开2002-217434号公报)的段落[0038])。
虽然将烧制银膏时的温度设为高温是对于能够确保烧制后的银电极的强度这一点而言优选的,但在太阳能电池单元的制造工序中,将基板暴露在高温下存在使太阳能电池单元的发电特性降低的可能性。
此外,为了向外部取出太阳能电池单元所产生的电力,通常也采用将由铜导线等构成的互连带(インターコネクタ,Interconnector)与电极连接的技术(例如参照专利文献1(日本特开2002-217434号公报)的段落[0033])。
另外,通常也采用经由焊料等导电性粘接材料连接太阳能电池单元的电极与互连带的技术(例如参照专利文献1(日本特开2002-217434号公报)的段落[0033])。进而,近年来,考虑到对环境的影响,焊料通常也使用了铋等代替铅的无铅焊料(例如参照专利文献1(日本特开2002-217434号公报)的段落[0033])。
因为构成无铅焊料的锡易于与银结合,所以如果烧制银膏而形成的银电极浸泡在无铅焊料浴中,则将出现银电极的银被无铅焊料浴摄取即所谓的银吞噬(銀食われ)现象,导致银电极变脆,或银电极从太阳能电池单元上脱落。
因此,在专利文献1(日本特开2002-217434号公报)中记载了通过在无铅焊料中含有一定量的银,能够使太阳能电池单元的银电极中所含有的银的溶出显著推迟的技术(例如参照专利文献1(日本特开2002-217434号公报)的段落[0034])。
然而,在使无铅焊料中含有一定量的银的情况下,增加了无铅焊料的成本。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:(日本)特开2002-217434号公报
发明内容
发明所要解决的课题
如上所述,在太阳能电池的技术领域中,通过提高太阳能电池单元的电极的可靠性,能够有望提高太阳能电池的长期可靠性。
本发明是鉴于上述问题而提出的,其目的在于提供可提高长期可靠性的太阳能电池及太阳能电池的制造方法。
用于解决课题的技术方案
本发明提供的一种太阳能电池,包括:太阳能电池单元,其具有基板及在基板的至少一表面设置的多孔质电极;导线,其与多孔质电极电连接;粘接材料,其设置在多孔质电极与导线之间;粘接材料的一部分进入多孔质电极的内部。
在此,在本发明的太阳能电池中,优选粘接材料的一部分与位于多孔质电极周围的基板的表面相接,并且将粘接材料横跨配置于多孔质电极的内部及外部、位于多孔质电极周围的基板的表面及导线。
而且,在本发明的太阳能电池中,优选进入多孔质电极内部的粘接材料与基板相接。
此外,在本发明的太阳能电池中,优选粘接材料包括导电性粘接材料与绝缘性粘接材料,导电性粘接材料在多孔质电极的外表面与导线的外表面之间将多孔质电极与导线电连接,绝缘性粘接材料进入多孔质电极的内部,将多孔质电极与导线机械式连接。
进而,本发明提供的一种太阳能电池的制造方法,是制造上述任一种太阳能电池的方法,包括:在多孔质电极及导线的任一部件上设置粘接材料的工序、将多孔质电极与导线重叠的工序、使粘接材料的一部分进入多孔质电极内部的工序、固化粘接材料的工序,固化工序为使粘接材料的一部分进入多孔质电极内部的工序之后的工序。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的