[发明专利]有机半导体

权利要求书

1.一种光电器件，其包含电荷传输层，所述电荷传输层包括含有一种或多种两性离子的第一半导体聚合物。

2.根据权利要求1所述的光电器件，其中，所述第一半导体聚合物包括具有至少一个两性离子取代基的第一重复单元。

3.根据权利要求2所述的光电器件，其中，所述两性离子取代基包括至少一个季胺基。

4.根据权利要求2或权利要求3所述的光电器件，其中，所述两性离子取代基包括磺酸根基团。

5.根据权利要求2至4中任一项所述的光电器件，其中，所述两性离子取代基包含被至少1个，例如2、3、4、5或更多个原子（例如，碳）中心分隔开的阳离子中心和阴离子中心。

6.根据权利要求2至5中任一项所述的光电器件，其中，所述第一重复单元包括芴残基。

7.根据权利要求2至6中任一项所述的光电器件，其中，所述第一重复单元包括以下结构：

其中，R¹包括所述或一个两性离子取代基。

8.根据权利要求7所述的光电器件，其中，所述R²包括所述或一个不同的基团、H或C₁至C₁₀的直链或支链的烷基、烯基或炔基链。

9.根据权利要求7所述的光电器件，其中，R¹和R²包括相同的两性离子取代基。

10.根据权利要求2至9中任一项所述的光电器件，其中，所述第一半导体聚合物包括第二重复单元。

11.根据权利要求10所述的光电器件，其中，所述第二重复单元包括芴残基，例如9,9-二辛基芴。

12.根据权利要求10或权利要求11所述的光电器件，其中，所述第一半导体聚合物包括所述第一重复单元与所述第二重复单元的交替共聚物。

13.根据任一前述权利要求所述的光电器件，其中，所述电荷传输层被设置在发光层与阴极之间，例如所述电荷传输层被设置为与所述发光层和/或所述阴极直接相邻。

14.根据权利要求1至12中任一项所述的光电器件，其中，所述电荷传输层设置在光伏层与阴极之间，例如所述电荷传输层被设置为与所述光伏层和/或所述阴极直接相邻。

15.根据权利要求13或14所述的光电器件，其中，所述阴极包含从铝、钙、氧化铟锡（ITO）、金、银中选取的一种或多种材料。

16.根据任一前述权利要求所述的光电器件，其中，所述电荷（例如，电子）传输层为至少1nm厚。

17.根据权利要求16所述的光电器件，其中，所述电荷传输层的厚度是1nm至20nm。

18.一种半导体聚合物，包含具有至少一个两性离子取代基的第一重复单元，其中所述两性离子取代基包含被大于2个原子（例如，碳）中心与第一阴离子电荷中心分隔开的第一阳离子电荷中心。

19.根据权利要求18所述的半导体聚合物，其中，所述两性离子取代基包括至少一个季胺基。

20.根据权利要求18或19所述的半导体聚合物，其中，所述两性离子取代基包括磺酸根基团。

21.根据权利要求18至20中任一项所述的半导体聚合物，其中，所述第一重复单元包括芴残基。

22.根据权利要求18至21中任一项所述的半导体聚合物，其中，所述第一重复单元包括以下结构：

其中，R¹包括所述或一个两性离子取代基。

23.根据权利要求22所述的半导体聚合物，其中，所述R²包括第二种不同的两性离子基团、H或C₁至C₁₀的直链或支链的烷基、烯基或炔基链。

24.根据权利要求22所述的半导体聚合物，其中，R¹和R²包括相同的两性离子取代基。

25.根据权利要求18至24中任一项所述的半导体聚合物，其中包括第二重复单元。