[发明专利]具有物理气相沉积形成氮化铝缓冲层的氮化镓类发光二极管的制造

权利要求书

1.一种多腔室系统，包括：

物理气相沉积（PVD）腔室，所述PVD腔室具有包含铝的靶；以及

适于沉积无掺杂的氮化镓，或n型的氮化镓，或前述两种氮化镓的腔室。

2.如权利要求1的系统，其中所述PVD腔室的所述靶包含氮化铝。

3.如权利要求1的系统，其中所述适于沉积无掺杂的氮化镓或n型的氮化镓的腔室包括金属有机化学气相沉积（MOCVD）腔室。

4.如权利要求1的系统，其中所述适于沉积无掺杂的氮化镓或n型的氮化镓的腔室包括氢化物气相外延（HVPE）腔室。

5.如权利要求1的系统，其中所述PVD腔室与所述适于沉积无掺杂的氮化镓或n型的氮化镓的腔室被包含在组合工具布置中。

6.如权利要求1的系统，其中所述PVD腔室与所述适于沉积无掺杂的氮化镓或n型的氮化镓的腔室被包含在沿线工具布置中。

7.如权利要求1的系统，所述系统进一步包括：

快速热处理（RTP）腔室或激光退火腔室。

8.一种制造发光二极管（LED）结构的方法，所述方法包含以下步骤：

在多腔室系统的物理气相沉积（PVD）腔室中在衬底上方形成氮化铝层；以及

在所述多腔室系统的第二腔室中在所述氮化铝层上形成无掺杂的氮化镓层或n型的氮化镓层。

9.如权利要求8的方法，其中形成所述氮化铝层的步骤包含以下步骤：从安置于所述PVD腔室中的氮化铝靶溅射。

10.如权利要求8的方法，其中在所述第二腔室中形成所述无掺杂的氮化镓层或n型的氮化镓层的步骤包含以下步骤：在第一金属有机化学气相沉积（MOCVD）腔室中形成。

11.如权利要求10的方法，所述方法进一步包含以下步骤：

在所述多腔室系统的第二MOCVD腔室中在所述无掺杂的氮化镓层或n型的氮化镓层上方形成多量子阱（MQW）结构；以及

在所述多腔室系统的第三MOCVD腔室中在所述MQW结构上方形成p型的氮化铝镓层或p型的氮化镓层。

12.如权利要求8的方法，其中形成所述氮化铝层的步骤包含以下步骤：在大约范围在20℃至200℃的衬底温度下形成。

13.如权利要求8的方法，其中形成所述氮化铝层的步骤包含以下步骤：在大约范围在200℃至1200℃的衬底温度下形成。

14.如权利要求8的方法，所述方法进一步包含以下步骤：

在所述氮化铝层上形成所述无掺杂的氮化镓层或n型的氮化镓层之前，在快速热处理（RTP）腔室中退火所述氮化铝层。

15.如权利要求8的方法，所述方法进一步包含以下步骤：

在形成所述氮化铝层之前，在具有钨靶的第二PVD腔室中于所述衬底上方形成钨（W）层。