[发明专利]电流镜以及高依从性单级放大器

权利要求书

1.一种用于在集成电路中使用的系统，所述系统包括：

输入差分对，其包括正输入节点和负输入节点；

电流源，其耦接到所述输入差分对，其中所述电流源提供预定偏置电流；

电流镜，其包括第一有源装置和第二有源装置，其中所述第一有源装置的漏极端子包括输出节点；以及

偏置晶体管装置，其包括：源极端子，所述源极端子耦接到所述第一有源装置和所述第二有源装置中每一者的栅极端子；栅极端子，所述栅极端子耦接到所述第二有源装置的漏极端子；以及漏极端子，所述漏极端子耦接到电压源，

其中所述偏置晶体管装置与所述电流镜互补。

2.根据权利要求1所述的系统，其中所述输入差分对实施为级联输入差分对，所述级联输入差分对包括：第一输入晶体管装置，所述第一输入晶体管装置与第一级联输入晶体管装置串联耦接；以及第二输入晶体管装置，所述第二输入晶体管装置与第二级联输入晶体管装置串联耦接。

3.根据权利要求2所述的系统，其中所述级联输入差分对进一步包括：

二极管连接的晶体管，所述二极管连接的晶体管包括：源极端子，所述源极端子耦接到所述第一输入晶体管和所述第二输入晶体管装置中每一者的源极端子；以及漏极端子，所述漏极端子耦接到所述第一级联输入晶体管装置和所述第二级联输入晶体管装置中每一者的栅极端子。

4.根据权利要求3所述的系统，其中根据所述第一级联输入晶体管装置和所述第二级联输入晶体管装置的栅极到源极电压來调整所述二极管连接的晶体管的大小。

5.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的系统，其中：

所述第一有源装置包括第一晶体管装置和第一级联晶体管装置；

所述第一晶体管装置的栅极端子耦接到所述第二有源装置的栅极端子和所述偏置晶体管装置的所述源极端子；

所述第一级联晶体管装置的栅极端子耦接到偏置电压；并且

所述第一级联晶体管装置的漏极端子包括所述输出节点。

6.根据权利要求5所述的系统，其中：

所述第二有源装置包括第二晶体管装置和第二级联晶体管装置；

所述第二晶体管装置的栅极端子耦接到所述第二级联晶体管装置的栅极端子、所述第一晶体管装置的所述栅极端子和所述偏置晶体管装置的所述源极端子；并且

所述第二级联晶体管装置的漏极端子耦接到所述偏置晶体管装置的所述栅极端子。

7.根据权利要求6所述的系统，其进一步包括放大器，其中：

所述放大器包括：非反相输入节点，所述非反相输入节点耦接到所述第二晶体管装置的漏极端子；反相输入节点，所述反相输入节点耦接到所述第一晶体管装置的漏极端子；以及输出端，所述输出端耦接到所述第一级联晶体管装置的栅极端子；并且

所述放大器向所述第一级联晶体管装置的所述栅极端子提供所述偏置电压。

8.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的系统，其中所述负输入节点耦接到所述输出节点，以形成单位增益放大器。

9.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的系统，其中：

所述输入差分对包括N型金属氧化物半导体（NMOS）装置；

所述第一有源装置包括级联P型金属氧化物半导体（PMOS）装置；

所述第二有源装置包括第二级联PMOS装置；

所述电流镜进一步包括第一PMOS装置和第二PMOS装置；并且

所述偏置晶体管装置包括：源极端子，所述源极端子耦接到所述第一PMOS装置、所述第二PMOS装置以及所述第二级联PMOS装置中每一者的栅极端子；栅极端子，所述栅极端子耦接到所述第二级联PMOS装置的漏极端子；以及漏极端子，所述漏极端子耦接到电压源。

10.根据权利要求9所述的电路，其进一步包括放大器，其中：

所述放大器包括：非反相输入节点，所述非反相输入节点耦接到所述第二PMOS装置的漏极端子；反相输入节点，所述反相输入节点耦接到所述第一PMOS装置的漏极端子；以及输出端，所述输出端耦接到所述第一PMOS级联装置的栅极端子；并且

所述放大器的所述输出端向所述第一级联PMOS装置的所述栅极端子提供所述偏置电压。

11.根据权利要求9所述的电路，其中所述负输入节点耦接到所述输出节点以形成单位增益放大器。