[发明专利]压力传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种制造压力传感器的方法，所述方法包括：

提供陶瓷平台、陶瓷测量膜和中间环；

通过气相沉积，至少在第一表面的第一表面段上和第二表面的第二表面段上提供活性钎焊材料，

其中所述第一表面是借助活性硬焊料或钎焊料要与所述中间环连接的平台表面、或者是借助活性硬焊料或钎焊料要与所述平台连接的所述中间环的表面；

其中所述第二表面是借助活性硬焊料或钎焊料要与所述中间环连接的测量膜表面、或者是借助活性硬焊料或钎焊料要与所述测量膜连接的所述中间环的表面；

将所述中间环布置在所述测量膜和所述平台之间；和

在焊接或钎焊工艺中加热所述活性硬焊料或钎焊料，其中在所述焊接或钎焊工艺期间，所述中间环本质上保持固态。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述焊接或钎焊工艺为真空焊接或钎焊工艺，或在保护气体下进行的焊接或钎焊工艺。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述中间环包含金属材料，尤其是W、MoTiZr或MoCu。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述中间环包含陶瓷材料，尤其是刚玉。

5.根据上述权利要求任一项所述的方法，其中所述中间环具有不小于10μm的厚度。

6.根据上述权利要求任一项所述的方法，其中所述中间环具有不大于60μm，尤其是不大于45μm，优选不大于30μm，尤其优选不大于25μm，的厚度。

7.根据上述权利要求任一项所述的方法，其中通过气相沉积在表面段上提供的所述活性钎焊材料的厚度总计不小于0.05μm，优选不小于0.1μm。

8.根据上述权利要求任一项所述的方法，其中提供所述活性硬焊料或钎焊料是通过气相沉积以下列方式进行的：通过气相沉积分别在将要与所述中间环结合的所述测量膜、或所述平台的两个表面段上、以及在要结合的所述中间环的至少一个表面上、优选在要结合的所述中间环的两个表面上提供所述活性硬焊料或钎焊料。

9.根据权利要求1-7任一项所述的方法，其中提供所述活性硬焊料或钎焊料是通过气相沉积以下列方式进行的：通过气相沉积在将要结合的所述中间环的两个表面上、以及在将要与所述中间环表面结合的所述测量膜、或所述平台的至少一个表面段上、优选在所述平台和所述测量膜的两个表面段上提供所述活性硬焊料或钎焊料。

10.根据上述权利要求任一项所述的方法，其中提供所述活性硬焊料或钎焊料是通过气相沉积以下列方式进行的：至少一个陶瓷表面、或一个陶瓷表面段被至少涂以所述活性硬焊料或钎焊料的活性成分。

11.根据权利要求10所述的方法，其中然后在所述活性成分层上，沉积所述活性焊料的所有成分的混合物，以便提供可焊接或可钎焊的活性硬焊料或钎焊料，和/或其中在要与其上沉积了所述活性成分的所述陶瓷表面、或陶瓷表面段相结合的表面或表面段上提供所述活性硬焊料或钎焊料的所有成分的混合物。

12.根据上述权利要求任一项所述的方法，其中所述中间环是金属中间环，其中在所述中间环上沉积粘结促进剂，尤其是钛。

13.一种压力传感器，所述压力传感器包括陶瓷平台、陶瓷测量膜和布置在所述平台和所述测量膜之间的中间环，其中所述平台通过第一接点连接所述中间环，并且所述中间环通过第二接点连接所述测量膜，其中在每种情况下，所述第一和第二接点包含活性硬焊料或钎焊料。

14.根据权利要求13所述的压力传感器，其中所述测量膜和/或所述平台包含刚玉，并且其中所述活性硬焊料或钎焊料包含Zr-Ni-Ti合金。

15.根据权利要求13或14所述的压力传感器，其中所述中间环包含金属材料，尤其是W、MoTiZr、MoCu，或陶瓷材料，尤其是刚玉。

16.根据权利要求13-15任一项所述的压力传感器，其中所述中间环具有不大于60μm，尤其是不大于45μm，优选不大于30μm，尤其优选不大于20μm，的厚度。