[发明专利]利用电子束技术产生臭氧和等离子体无效
申请号: | 201180060362.4 | 申请日: | 2011-12-16 |
公开(公告)号: | CN103262220A | 公开(公告)日: | 2013-08-21 |
发明(设计)人: | 卡维·巴赫塔里 | 申请(专利权)人: | 日立造船株式会社 |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 陈桂香;褚海英 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 利用 电子束 技术 产生 臭氧 等离子体 | ||
1.一种用于产生等离子体或臭氧的系统,其包括:
电子束发射器,所述电子束发射器具有电子发生腔室,所述电子束发射器被设置用来发出电子束,所述电子束发射器还具有位于所述电子发生腔室的一端处的阻挡件,所述阻挡件包括电子可渗透材料以提供所述电子束穿过的窗口,且所述阻挡件密封所述电子发生腔室以防止物质从所述电子发生腔室中逸出,并且所述阻挡件还维持差压和真空度;
反应腔室,所述反应腔室被布置成与所述阻挡件相邻,所述反应腔室用来接收所述电子束且具有允许气体从所述反应腔室中流过的通道;以及
输入气体源,所述输入气体源用于将输入气体引入到所述反应腔室中,使得所述输入气体能够在所述反应腔室内与所述电子束反应从而形成输出气体,所述输出气体包含等离子体形式或臭氧浓度形式的活性气体,且所述输出气体从所述反应腔室传输至晶圆处理腔室。
2.如权利要求1所述的系统,其还包括控制器,所述控制器用于控制所述电子束发射器的电流和加速电压以操控所述电子束的特性,从而在所述反应腔室内获得所选的能量分布。
3.如权利要求1所述的系统,其还包括第二电子束发射器,所述第二电子束发射器被设置用来发出要进入所述反应腔室中的第二电子束。
4.如权利要求1所述的系统,其还包括冷却通道,所述冷却通道被设置用来调节所述反应腔室内的温度。
5.如权利要求1所述的系统,其还包括二次电子发生器,所述二次电子发生器被设置用来阻挡所述电子束的路径并产生二次电子。
6.一种用于产生等离子体或臭氧的方法,其包括:
通过具有电子发生腔室的电子束发射器发出电子束,且所述电子束穿过布置在所述电子发生腔室的一端处的阻挡件,其中所述阻挡件包含电子可渗透材料,所述阻挡件提供所述电子束穿过的窗口,所述阻挡件密封所述电子发生腔室以防止物质从所述电子发生腔室中逸出,并且所述阻挡件还维持差压和真空度;
通过输入气体源将输入气体引入到被布置成与所述阻挡件相邻以用于接收所述电子束的反应腔室,使得所述输入气体能够在所述反应腔室内与所述电子束反应从而形成含有等离子体或臭氧浓度的输出气体;以及
将所述输出气体从所述反应腔室传输至晶圆处理腔室。
7.如权利要求6所述的方法,其还包括:通过控制器来控制所述电子束发射器的电流和加速电压以操控束特性,从而在所述反应腔室内获得所选的能量分布。
8.如权利要求6所述的方法,其还包括:通过第二电子束发射器来发出要进入所述反应腔室中的第二电子束。
9.如权利要求6所述的方法,其还包括:通过冷却通道来调节所述反应腔室内的温度。
10.如权利要求6所述的方法,其还包括:通过二次电子发生器来阻挡所述电子束的路径,以产生二次电子。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日立造船株式会社,未经日立造船株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201180060362.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:可重复剥除的光伏器件涂层
- 下一篇:导航设备和方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造