[发明专利]用于层压过程的改进的硅酮隔膜

权利要求书

1.一种隔膜，包括硅酮聚合物和不大于25wt%的弹性体组分的一种共混物，该隔膜的厚度为至少1毫米并且展现至少35%的拉伸保留指数。

2.如权利要求1所述的隔膜，其中该拉伸保留指数为至少45%。

3.如权利要求2所述的隔膜，其中该拉伸保留指数为至少55%。

4.如权利要求3所述的隔膜，其中该拉伸保留指数为至少60%。

5.如权利要求1所述的隔膜，其中该隔膜展现至少30%的伸长保留指数。

6.如权利要求5所述的隔膜，其中该伸长保留指数至少为40%。

7.如权利要求6所述的隔膜，其中该伸长保留指数至少为50%。

8.如权利要求1所述的隔膜，其中该弹性体组分包括丁基弹性体、二烯烃弹性体、腈弹性体、氟化的弹性体、氟硅酮弹性体、弹性体嵌段共聚物或其任何组合。

9.如权利要求8所述的隔膜，其中该弹性体组分包括腈弹性体。

10.如权利要求9所述的隔膜，其中该腈弹性体包括腈橡胶（NBR）、氢化的腈橡胶（HNBR）或其任何组合。

11.如权利要求8所述的隔膜，其中该弹性体组分包括氟弹性体。

12.如权利要求8所述的隔膜，其中该弹性体组分包括丁基弹性体。

13.如权利要求8所述的隔膜，其中该弹性体组分包括弹性体嵌段共聚物。

14.如权利要求1所述的隔膜，其中该硅酮聚合物包括二甲基硅氧烷、二乙基硅氧烷、二丙基硅氧烷、甲基乙基硅氧烷、甲基丙基硅氧烷或其任何组合。

15.如权利要求1所述的隔膜，其中所包括的该弹性体组分的范围为5wt%至25wt%。

16.如权利要求15所述的隔膜，其中所包括的该弹性体组分的范围为10wt%至20wt%。

17.一种层压机，包括：

第一和第二支架；

一个隔膜，该隔膜与该第一支架连接并且限定该隔膜与该第二支架之间的一个体积，该隔膜包括硅酮聚合物和不大于25wt%的弹性体组分的一种共混物，该隔膜的厚度为至少1毫米并且展现至少35%的拉伸保留指数；以及

一个热源，其提供热至布置在该体积内的工件。

18.如权利要求17所述的层压机，其中该拉伸保留指数至少为45%。

19.如权利要求18所述的层压机，其中该拉伸保留指数至少为55%。

20.如权利要求19所述的层压机，其中该拉伸保留指数至少为60%。

21.如权利要求17所述的层压机，其中该隔膜展现至少30%的伸长保留指数。

22.如权利要求21所述的层压机，其中该伸长保留指数至少为40%。

23.如权利要求22所述的层压机，其中该伸长保留指数至少为50%。

24.如权利要求17所述的层压机，其中该弹性体组分包括丁基弹性体、二烯烃弹性体、腈弹性体、氟化的弹性体、氟硅酮弹性体、弹性体嵌段共聚物、或其任何组合。

25.如权利要求24所述的层压机，其中该弹性体组分包括腈弹性体。

26.如权利要求25所述的层压机，其中该腈弹性体包括腈橡胶（NBR）、氢化的腈橡胶（HNBR）、或其任何组合。

27.如权利要求24所述的层压机，其中该弹性体组分包括氟弹性体。

28.如权利要求24所述的层压机，其中该弹性体组分包括丁基弹性体。

29.如权利要求24所述的层压机，其中该弹性体组分包括弹性体嵌段共聚物。

30.如权利要求24所述的层压机，其中该硅酮聚合物包括二甲基硅氧烷、二乙基硅氧烷、二丙基硅氧烷、甲基乙基硅氧烷、甲基丙基硅氧烷、或其任何组合。

31.一种形成光电器件的方法，该方法包括：

将一个光电组件和一个层压至该光电组件的膜放置在一个机架与一个隔膜之间限定的体积内，该隔膜包括硅酮聚合物和不大于25wt%的弹性体组分的一种共混物，该隔膜的厚度为至少1毫米并且展现至少35%的拉伸保留指数；

用热源加热该光电组件和膜层；并且

在该体积中施加真空，促使该隔膜与该膜接触。