[发明专利]处理苏打石灰硅玻璃基板表面的方法、表面处理的玻璃基板及使用其的装置

权利要求书

1.一种制造涂层制品的方法，所述方法包括：

使用至少第一离子源来离子束研磨玻璃基板的大致整个表面以将基板的厚度减少至少约100埃，其中玻璃基板包括大约67-75%的SiO₂、大约6-20%的Na₂O和大约5-15%的CaO；和

在所述离子束研磨期间或之后，通过离子束辅助沉积IBAD在基板的被离子束研磨的表面的至少一部分上形成包含AlSiO_x的至少一个层，其中，所述IBAD使用至少一个溅射靶和至少第二离子源。

2.如权利要求1所述的方法，其中，包含AlSiO_x的层从铝和硅的包容性靶沉积。

3.如前述权利要求中任何一项所述的方法，其中，包含AlSiO_x的层具有从约200至300埃的厚度。

4.如前述权利要求中任何一项所述的方法，其中，包含AlSiO_x的层具有不大于1.55的折射率。

5.如前述权利要求中任何一项所述的方法，其中，包含AlSiO_x的层具有约为0的消光系数k。

6.如前述权利要求中任何一项所述的方法，其中，所述离子束研磨步骤将基板的厚度减少约150至250埃。

7.如前述权利要求中任何一项所述的方法，其中，包含AlSiO_x的层的厚度大致与因所述离子束研磨减少的基板的厚度相同。

8.如前述权利要求中任何一项所述的方法，其中，包含AlSiO_x的层的厚度大于因所述离子束研磨减少的基板的厚度。

9.如前述权利要求中任何一项所述的方法，其中，所述IBAD涉及氩离子。

10.如前述权利要求中任何一项所述的方法，其中，所述玻璃基板是苏打石灰硅低铁玻璃基板。

11.一种制造电子显示装置的方法，所述方法包括：

根据前述权利要求中任何一项所述的方法制造涂层制品；

使用涂层制品作为其基底制作TFT基板；

提供颜色过滤基板；和

在颜色过滤基板和TFT基板之间安置LCD材料的层。

12.一种制造电子显示装置的方法，所述方法包括：

根据前述权利要求中任何一项所述的方法制造涂层制品；

使用涂层制品作为其基底制作颜色过滤基板；

提供TFT基板；和

在颜色过滤基板和TFT基板之间安置LCD材料的层。

13.一种制造电子显示装置的方法，所述方法包括：

根据前述权利要求中任何一项所述的方法制造第一涂层制品；

使用第一涂层制品作为其基底制作TFT基板；

根据前述权利要求中任何一项所述的方法制造第二涂层制品；

使用第二涂层制品作为其基底制作TFT基板；和

在颜色过滤基板和TFT基板之间安置LCD材料的层。

14.一种制造电子装置的方法，所述方法包括：

在Ar和O₂的包容性环境中使用多个第一离子源来对玻璃基板的大致整个表面进行离子束研磨，以将基板的厚度减少至少约100埃；

在所述离子束研磨之后，通过离子束辅助沉积IBAD在基板的被离子束研磨的表面的至少一部分上形成至少一个含硅层；和

一旦被研磨并在其上形成有含硅层，将基板构建入电子装置，

其中，所述IBAD在Ar和O₂包容性环境中进行并涉及多溅射靶，每个所述溅射靶具有与其关联的相应的第二离子源。

15.如权利要求14所述的方法，其中，所述含硅层包含AlSiO_x并具有小于或等于1.55的折射率和约为0的消光系数k，基于AlSiO_x的层的厚度为200至300埃。

16.如权利要求14或15所述的方法，其中，所述离子束研磨和含硅层的沉积，导致与基板没被离子束研磨且含硅层没被沉积的状态相比防止至少约90％的碱、碱性离子、硫酸盐、碳酸盐从基板迁移入装置的任何功能层。