[发明专利]半导体晶片的洗净方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体晶片的洗净方法的改良。

背景技术

硅晶片等半导体晶片(以下也有简称为晶片(wafer)的情况)的洗净方法，大多使用下述洗净程序：根据氨水、过氧化氢水溶液(双氧水)及超纯水所混合而成的混合洗净液(以下称为SC1(Standard Cleaning1)洗净液)以及盐酸、过氧化氢水溶液及超纯水所混合而成的混合洗净液(以下称为SC2(Standard Cleaning2)洗净液)来进行RCA(Radio Corporation of America，美国无线电公司)洗净等。

SC1洗净，是根据蚀刻来将附着在晶片表面的微粒剥离(lift-off)而进行去除，通常，为了将微粒充分去除，而需要对晶片蚀刻4nm以上的厚度(专利文献1)。

另一方面，随着元件的设计规则微细化，有降低晶片的面粗糙度这样的一种改善品质的要求。此晶片的面粗糙度，通常由精加工研磨来决定，但因SC1洗净对晶片(硅)产生蚀刻作用，因此，蚀刻耗损(蚀刻量)越多，会使晶片的表面粗糙度越恶化。

由于已知下述事实，故要求尽可能降低晶片的表面粗糙度：如果表面粗糙度恶化，则会使硅晶片上所形成的氧化膜的电特性恶化、或对使用激光的散射来进行的微粒计数器的微粒检测造成不良影响。

然而，如果为了改善晶片表面粗糙度而减少SC1洗净的蚀刻量，则洗净力会降低，而会残留微粒。因此，为了弥补由于蚀刻量减少所造成的洗净力降低，而强化物理洗净来改善微粒去除能力，由此即使将由于SC1洗净液所造成的蚀刻量减少一定程度，仍能够将微粒去除，该物理洗净是与SC1洗净并用且是根据超音波来进行。然而，仍有下述问题：如果由于SC1洗净所造成的蚀刻量成为2.0nm以下，则即使改善超音波，也无法将微粒去除而会残留微粒。

也就是说，公知的半导体晶片的洗净方法，无法同时达成有效地将微粒去除及防止晶片表面粗糙度恶化。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平9-69509号公报

发明内容

发明要解决的课题

本发明是基于上述问题点而完成的，其目的在于提供一种半导体晶片的洗净方法，能够减低由于洗净所造成的晶片的表面粗糙度恶化，并且有效地进行晶片洗净。

解决课题的方法

为了解决上述课题，本发明提供一种半导体晶片的洗净方法，其是将半导体晶片洗净的方法，其特征在于，其包括下述工序：根据SC1洗净液来将前述半导体晶片洗净的工序；根据氢氟酸来将前述经SC1洗净液所洗净的半导体晶片洗净的工序；以及根据臭氧浓度是3ppm以上的臭氧水来将前述经氢氟酸所洗净的半导体晶片洗净的工序，并且，使由于前述SC1洗净液所造成的半导体晶片的蚀刻耗损成为0.1～2.0nm。

这样一来，本发明的半导体晶片的洗净方法，由于以将蚀刻耗损减低为0.1～2.0nm的方式，根据SC1洗净液来进行洗净，故能够防止半导体晶片的表面粗糙度恶化。此外，由于根据后续的根据氢氟酸来进行的洗净，将SC1洗净后所残存的残留微粒去除，并根据后续的根据臭氧浓度是3ppm以上的臭氧水来洗净，便能够使氧化膜附着在晶片表面，使晶片表面从疏水面成为亲水面，而抑制微粒的再附着，故能够减低由于洗净所造成的晶片的表面粗糙度恶化，并且有效地进行晶片洗净。

发明的效果

如上所述，根据本发明的半导体晶片的洗净方法，能够减低由于洗净所造成的晶片的表面粗糙度恶化，并且有效地进行晶片洗净。

附图说明

图1是说明本发明的半导体晶片的洗净方法的一个例子的流程图。

图2是实施例1～5及比较例1～9中的晶片表面的微粒测定结果。

图3是实施例1～5及比较例1～9中的晶片的表面粗糙度测定结果。

图4是实施例6、比较例10中的微粒测定结果。

具体实施方式

以下，更具体说明本发明。

如前所述，先前一直要求一种半导体晶片的洗净方法，能够减低由于洗净所造成的晶片的表面粗糙度恶化，并且有效地进行晶片洗净。