[发明专利]等离子体CVD装置

权利要求书

1.一种等离子体CVD装置，其特征在于，具备：

真空腔室；

一对成膜辊，配置在该真空腔室内，并且对作为成膜对象的基材进行卷挂；以及

磁场生成部，通过在所述成膜辊的表面产生使等离子体发生的磁场，从而形成在被该成膜辊卷挂的基材上形成皮膜的成膜区域，

所述一对成膜辊由第一成膜辊和第二成膜辊构成，所述第二成膜辊以轴心与该第一成膜辊相互平行的方式与该第一成膜辊空开间隔而设置，

所述磁场生成部以如下方式进行配置，即，作为所述成膜区域，在作为所述一对成膜辊之间的空间的相向空间内形成第一成膜区域，并且在作为该相向空间以外的空间的、与所述成膜辊的表面邻接的区域形成第二成膜区域。

2.根据权利要求1所述的等离子体CVD装置，其特征在于，

所述一对成膜辊以轴心分别朝向水平方向且彼此的轴心在水平方向上空开间隔成为平行的方式进行配置，

所述第二成膜区域以沿所述成膜辊的表面中的比所述相向空间下侧的部位的方式形成。

3.根据权利要求2所述的等离子体CVD装置，其特征在于，具备：

气体供给部，对所述真空腔室内供给在成膜中使用的原料气体；以及

气体排气部，从所述真空腔室对所述原料气体进行排气，

所述气体供给部从所述相向空间的上方向所述真空腔室内供给所述原料气体，

所述气体排气部从每个成膜辊的下侧将所述原料气体向真空腔室外进行排气。

4.根据权利要求1所述的等离子体CVD装置，其特征在于，

所述磁场生成部具有在所述第一成膜区域使等离子体发生的第一磁场生成部和在所述第二成膜区域使等离子体发生的第二磁场生成部，

这些第一磁场生成部和第二磁场生成部分别设置在所述成膜辊的内部。

5.根据权利要求1所述的等离子体CVD装置，其特征在于，

所述磁场生成部具有在所述第一成膜区域使等离子体发生的第一磁场生成部和在所述第二成膜区域使等离子体发生的第二磁场生成部，

所述第一磁场生成部设置在所述成膜辊的内部，所述第二磁场生成部设置在所述成膜辊的外部的、该成膜辊的下方。

6.根据权利要求4所述的等离子体CVD装置，其特征在于，

所述第一磁场生成部及第二磁场生成部分别具有用于产生使所述等离子体汇聚的磁场的多个磁铁，相互隔开间隔地配置在所述成膜辊的圆周方向上，

所述第一磁场生成部的第二磁场生成部侧端部的磁铁中的所述成膜辊的径向外侧的部位的磁极与所述第二磁场生成部的第一磁场生成部侧端部的磁铁中的所述成膜辊的径向外侧的部位的磁极是同极。

7.根据权利要求4所述的等离子体CVD装置，其特征在于，

所述第一磁场生成部及第二磁场生成部连续地配置在所述成膜辊的圆周方向上，各磁场生成部分别具有用于产生使所述等离子体汇聚的磁场的多个磁铁，

所述第一磁场生成部与第二磁场生成部共有一部分的磁铁。