[发明专利]具有可接达电极的固态发光装置和制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及发光裸片(例如，发光二极管(“LED”))和含有具有可接达电极的发光裸片的固态发光(“SSL”)装置以及制造方法。

背景技术

SSL装置可具有拥有不同电极配置的发光裸片。举例来说，图1A是具有横向电极的发光裸片10的剖视图。如图1A中所展示，发光裸片10包括携载LED结构11的衬底12，LED结构11包含N型氮化镓(GaN)14、GaN/氮化镓铟(InGaN)多量子阱(“MQW”)16和P型GaN 18。发光裸片10还包括位于N型GaN 14上的第一电极20和位于P型GaN 18上的第二电极22。如图1A中所展示，第一电极20和第二电极22都位于LED结构11的前侧且可容易地接达。

图1B展示具有垂直电极的发光裸片10′。发光裸片10′包括位于N型GaN 14上的第一电极20和在P型GaN 18下方的第二电极22。发光裸片10′在第一电极20与第二电极22之间的电流扩散程度可高于图1A的发光裸片10。然而，第二电极22不容易接达，这是因为其埋入P型GaN 18与衬底12之间。此外，第一电极20部分地阻挡所生成光(如由箭头15a所示)，且由此仅提取所生成光的一部分(如由箭头15b所示)。因此，发光裸片10′的光提取效率可受限。

提高具有垂直电极的发光裸片的光提取效率的一种方式是通过纳入“埋入”电极。如图1C中所展示，发光裸片10″包括从衬底12延伸到N型GaN 14中的开口21。绝缘材料25内衬在开口21的侧壁23上。将导电材料布置在开口21中以形成第一电极20。具有埋入的第一电极20的发光裸片10″可具有提高的光提取效率，这是因为其并不覆盖N型GaN 14的任一部分。然而，第一电极20和第二电极22在此设计中都不容易接达，且其需要与外部导体精确对准以避免电极失配。因此，对发光裸片的电极配置进行若干改进可为合意的。

发明内容

附图说明

图1A是根据现有技术具有横向电极的发光裸片的示意性剖视图。

图1B是根据现有技术具有垂直电极的发光裸片的示意性剖视图。

图1C是根据现有技术具有埋入电极的发光裸片的示意性剖视图。

图2A是根据本发明技术的实施例具有垂直电极的发光裸片的示意性剖视图。

图2B是图2A中所展示发光裸片的示意性俯视图。

图3A是根据本发明技术的实施例具有埋入电极的发光裸片的示意性剖视图。

图3B是图3A中所展示发光裸片的示意性俯视图。

图4是根据本发明技术的实施例纳入图2A到3B的发光裸片的SSL装置的示意性图解说明。

图5A是根据本发明技术的实施例具有埋入电极的发光裸片的示意性剖视图。

图5B是图5A中所展示发光裸片的示意性俯视图。

图5C是根据本发明技术的实施例具有埋入电极的发光裸片的示意性剖视图。

图6A是根据本发明技术的其它实施例具有埋入电极的发光裸片的示意性剖视图。

图6B是图6A中所展示发光裸片的示意性俯视图。

具体实施方式

下文描述发光裸片、具有发光裸片的SSL装置和制造方法的各种实施例。下文所用的术语“SSL装置”通常是指具有一个或一个以上固态发光裸片的装置，所述固态发光裸片是(例如)LED、激光二极管(“LD”)和/或除电热丝、等离子体或气体以外的其它适宜的照明来源。相关领域的技术人员还应理解，所述技术可具有其它实施例，且可在没有下文参照图2A到6B所描述实施例的若干细节的情况下实践所述技术。

图2A是发光裸片100的示意性剖视图，且图2B是图2A中所展示发光裸片100的俯视图。如图2A中所展示，发光裸片100可包括SSL结构111、第一电极120、第二电极122和携载SSL结构111的衬底102(其间具有绝缘材料103)。在图2A和2B中仅展示发光裸片100的某些组件，且应了解，发光裸片100在其它实施例中还可包括透镜、镜子和/或其它适宜的光学和/或电组件。