[发明专利]发射辐射的有机电子装置及其制造方法有效
申请号: | 201180060825.7 | 申请日: | 2011-12-13 |
公开(公告)号: | CN103262286A | 公开(公告)日: | 2013-08-21 |
发明(设计)人: | 尼纳·里格尔;丹尼尔·斯特芬·塞茨;约尔格·弗里斯赫艾森;沃尔夫冈·布吕廷;托马斯·多贝廷;本杰明·克劳斯·克鲁马赫尔;米夏埃尔·弗拉米希;卡斯藤·霍伊泽尔;诺贝特·丹茨 | 申请(专利权)人: | 欧司朗光电半导体有限公司;弗兰霍菲尔运输应用研究公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 张春水;田军锋 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 德国;DE |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 发射 辐射 有机 电子 装置 及其 制造 方法 | ||
1.用于制造发射辐射的有机电子装置的方法,所述有机电子装置具有第一电极层和第二电极层以及发射层,所述方法具有下述步骤:
A)提供具有各向异性的分子结构的磷光发射体和基体材料,
B)将所述第一电极层施加到衬底上,
C)在热力学控制的情况下施加所述发射层,其中所述磷光发射体和所述基体材料在真空中蒸发并且在所述第一电极层上沉积,使得实现所述磷光发射体的分子的各向异性的定向,
D)将所述第二电极层施加在所述发射层上。
2.根据权利要求1所述的方法,其中通过所述发射层的生长速率小于0.5nm/s的方式在步骤C)中进行所述热力学控制。
3.根据上述权利要求之一所述的方法,其中通过在沉积步骤之后和/或在沉积步骤期间将已沉积的所述发射层带到相对于室温升高的温度上或者保持在所述温度上而在步骤C)中进行所述热力学控制。
4.根据上述权利要求之一所述的方法,其中在步骤A)中,具有各向异性的分子结构的所述磷光发射体选自:铱络合物、铂络合物和钯络合物以及上述材料的混合物。
5.根据上一项权利要求所述的方法,其中选择下式的铱络合物:
其中C∩N是至少二齿的配位体,所述配位体借助铱原子形成金属无环族的环,并且其中R1、R2和R3相互独立地是未枝化的、枝化的烷基残基、缩合的和/或环形的烷基残基和/或芳基残基,所述未枝化的、枝化的烷基残基、缩合的和/或环形的烷基残基和/或芳基残基能够分别被完全地或者部分地取代并且其中R2也能够是H或F。
6.根据上一项权利要求所述的方法,其中所述配位体C∩N形成具有铱原子的五元的或者六元的金属无环族的环。
7.根据上一项权利要求所述的方法,其中所述配位体C∩N是苯基吡啶、苯基咪唑、苯基恶唑、苄基吡啶、苄基咪唑、苄基恶唑或者是具有所述化合物中的一种作为基架的配位体。
8.根据上三项权利要求之一所述的方法,其中所述配位体C∩N具有至少部分缩合的至少三个芳香环。
9.根据上述权利要求之一所述的方法,其中所提供的所述基体材料具有各向异性的分子结构。
10.根据上一项权利要求所述的方法,其中选择A-K-B类型的基体材料,其中结构元素K代表结构Ar1-X-Ar2,其中Ar1和Ar2是相同的或者不同的芳香环,并且X代表单键、其它的芳香基团或者代表Ar1和Ar2的借助于稠合环的链接,
其中所述结构元素A和B是相同的或不同的并且分别包括至少一个芳香环。
11.根据上两项权利要求之一所述的方法,其中所述结构元素K的所述基团Ar1和Ar2分别代表氮杂环并且/或者所述结构元素A和B分别包括芳香取代的胺基。
12.根据上一项权利要求所述的方法,其中所述基体材料包括联苯胺衍生物或者菲咯啉衍生物。
13.根据上四项权利要求之一所述的方法,其中所述结构元素A和B分别包括至少一个由叔烷基基团取代的芳香族化合物和/或分别包括至少一个缩合的多环的芳基基团。
14.根据上五项权利要求之一所述的方法,其中所述基体材料具有传输空穴和/或传输电子的特性。
15.发射辐射的有机电子装置,所述有机电子装置能够借助根据上述权利要求之一所述的方法得到。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于欧司朗光电半导体有限公司;弗兰霍菲尔运输应用研究公司,未经欧司朗光电半导体有限公司;弗兰霍菲尔运输应用研究公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201180060825.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择