[发明专利]形成硬盘用被膜的组合物

说明书

技术领域

本发明涉及形成硬盘驱动器用被膜的组合物和使用该组合物的硬盘装置的制造方法。本申请被膜在平坦化和抑制磁性物质向被膜层扩散方面具有效果。

背景技术

关于硬盘驱动器，磁头的高性能化和驱动器介质(磁性体)的高性能化同时进行，大容量化和小型化进行。

在介质驱动器的高性能化这点上，通过提高面记录密度来推进大容量化。由于提高记录密度，从而在磁头部分磁场宽成为问题，向使磁头小的方向进展受其限制。由于不会小至一定值以下，因此发生被称为侧光(sidelight)的现象。如果发生侧光，则记录时发生向相邻磁道的写入，盖写已经记录的数据而发生数据的消失。此外，磁场宽在更新时会读入来自相邻磁道的多余信号，发生串扰。

为了解决这样的问题，提出了将磁道间用非磁性材料填充，要通过物理分离、磁分离得到解决的离散磁道介质、比特图案化介质这样的技术(专利文献1)。

由填充于磁道间的非磁性材料形成的填充是，在形成于基板上的具有凹凸的磁性层上被覆包含非磁性材料的形成被膜的组合物，通过干蚀刻回蚀直至磁性层的表面，形成磁性层与非磁性层变平坦的平面。该非磁性层的底部、侧部与磁性层接触，有时发生磁性材料从磁性层向非磁性层扩散，为了防止这样的扩散，使用了聚硅氧烷系的材料(专利文献2)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2005－100496号公报

专利文献2：日本特开2009－259370号公报

发明内容

发明所要解决的课题

本发明的目的是提供非磁性体的填充剂，即形成平坦化膜的组合物，所述组合物在用于离散磁道介质、比特图案化介质这种技术的形成微细的槽(几十nm)，在该槽中填充非磁性材料，进行光固化，平坦化，形成交替地具有磁性体部分和非磁性体部分的磁道的方法中使用。

这样的组合物要求充分地填充于微细的槽中，且光固化时(曝光时)和曝光后烘烤时填充部分不发生收缩，而且防止在填充部中钴成分等磁性材料(钴、铝、锆、铬、镍、锌、铁、钌等)扩散至填充部(非磁性层)。本发明提供满足这样的要求性能的形成硬盘用平坦化膜的组合物。而且，本发明提供使用该组合物的硬盘的制造方法。此外，本发明提供用于形成磁性物质的扩散防止膜的组合物。

用于解决课题的方法

本发明中，作为第1观点，是一种形成硬盘用平坦化膜的组合物，其包含疏水性被覆材，所述疏水性被覆材由选自(A1)、(A2)、(A3)、(a1)、(a2)和(a3)中的至少1种聚合物或至少1种聚合物与至少1种化合物的组合构成，并且具有光聚合性基和芳香族基，所述(A1)为包含芳香族基，具有300～5000的分子量，在大气压下常温下为液体的聚合物，所述(A2)为包含至少2个光聚合性基，具有300～5000的分子量，在大气压下常温下为液体的聚合物，所述(A3)为包含芳香族基和至少2个光聚合性基，具有300～5000的分子量，在大气压下常温下为液体的聚合物，所述(a1)为包含芳香族基，具有100～1000的分子量，在大气压下常温下为液体的化合物，所述(a2)为包含至少2个光聚合性基，具有100～1000的分子量，在大气压下常温下为液体的化合物，所述(a3)为包含芳香族基和至少2个光聚合性基，具有100～1000的分子量，在大气压下常温下为液体的化合物，

作为第2观点，是第1观点所述的形成平坦化膜的组合物，光聚合性基为丙烯酸酯基、甲基丙烯酸酯基或乙烯基，

作为第3观点，是第1观点或第2观点所述的形成平坦化膜的组合物，芳香族基为包含苯环的基团，

作为第4观点，是第1观点～第3观点的任一项所述的形成平坦化膜的组合物，疏水性被覆材为单独的上述(A3)、(A1)与(A2)的混合物、(A1)与(A3)的混合物、(A2)与(A3)的混合物、(A3)与(a3)的混合物、(A1)与(a3)的混合物、或(A1)与(a2)的混合物，

作为第5观点，是第1观点～第3观点的任一项所述的形成平坦化膜的组合物，疏水性被覆材为单独的上述(A3)、或(A1)与(a2)的混合物，

作为第6观点，是第1观点～第5观点的任一项所述的形成平坦化膜的组合物，上述(A3)为均聚物或共聚物，

作为第7观点，是第1观点～第6观点的任一项所述的形成平坦化膜的组合物，由形成平坦化膜的组合物获得的平坦化膜为在水接触角测定中该平坦化膜与水的接触角为70°～150°的具有疏水性的膜，